Silicio karbido plok\u0161tel\u0117s naudojamos kaip maitinimo elektronikos prietais\u0173, pavyzd\u017eiui, diod\u0173 ir MOSFET, substratai, pasi\u017eymintys i\u0161skirtiniu kietumu, stabilumu veikiant kar\u0161\u010diui ir \u012ftampai bei atsparumu oksidacijai. Galimi 100 mm ir 150 mm skersmens dyd\u017eiai.<\/p>\n
\u0160ie pad\u0117klai taip pat apsaugo nuo terminio \u0161oko, kur\u012f sukelia staig\u016bs temperat\u016bros poky\u010diai, o d\u0117l ma\u017eo \u0161iluminio pl\u0117timosi koeficiento jie tinka ma\u017eiems prietaisams ir didesniam tranzistori\u0173 skai\u010diui vienoje mikroschemoje sutalpinti.<\/p>\n
Silicio karbidas yra ne\u012ftik\u0117tinai lanksti puslaidininkin\u0117 med\u017eiaga, puikiai tinkanti naudoti \u012fvairiose galios elektronikos srityse. D\u0117l plataus draustin\u0117s juostos tarpo ir didelio pramu\u0161amojo elektrinio lauko, tinkamai panaudojus silicio karbid\u0105, gerokai padid\u0117ja efektyvumas.<\/p>\n
Silicio karbido (SiC) plok\u0161tel\u0117s yra esminiai efektyvi\u0173 galios elektronikos prietais\u0173 komponentai, pasi\u017eymintys neprilygstamu patvarumu auk\u0161toje temperat\u016broje ir ekstremaliomis aplinkos s\u0105lygomis. J\u0173 puikus \u0161ilumos laidumas taip pat leid\u017eia \u0161ilumai i\u0161sisklaidyti eksploatacijos metu, tod\u0117l SiC yra puikus kandidatas reikliems galios taikymams.<\/p>\n
Silicio karbido substratai turi daug privalum\u0173, palyginti su \u012fprastesn\u0117mis med\u017eiagomis, tokiomis kaip silicis ir safyras, \u012fskaitant j\u0173 kietum\u0105. Be to, \u0161ie nereaktyv\u016bs substratai auk\u0161toje temperat\u016broje nereaguoja su r\u016bg\u0161timis, \u0161armais ar i\u0161lydytomis druskomis, pasi\u017eymi ma\u017eu \u0161iluminiu pl\u0117timosi grei\u010diu ir atsparumu \u0161iluminiams sm\u016bgiams, o tai lemia j\u0173 tvirtum\u0105.<\/p>\n
SiC plok\u0161teli\u0173 kokyb\u0119 galima \u012fvertinti pagal tokius veiksnius kaip kristal\u0173 orientacija, pavir\u0161iaus \u0161iurk\u0161tumas, defekt\u0173 tankis ir plok\u0161tel\u0117s dydis. Tiksliam \u0161i\u0173 element\u0173 \u012fvertinimui naudojant pa\u017eangius apib\u016bdinimo metodus, tokius kaip rentgeno spinduli\u0173 topografija ir fotoliuminescencijos \u017eem\u0117lapiai, gamintojams suteikiama galimyb\u0117 steb\u0117ti na\u0161um\u0105 ir laikytis pramon\u0117s standart\u0173.<\/p>\n
Pla\u010diajuos\u010diai puslaidininkiai yra labai svarb\u016bs kuriant b\u016bsim\u0173 kart\u0173 didelio na\u0161umo elektroninius prietaisus. D\u0117l savo i\u0161skirtini\u0173 savybi\u0173, \u012fskaitant pla\u010dius energijos tarpus, didelius pramu\u0161amuosius elektrinius laukus ir i\u0161skirtin\u012f \u0161ilumin\u012f laidum\u0105, jie puikiai tinka galios elektronikos ir radijo da\u017eni\u0173 (RF) taikymams.<\/p>\n
Med\u017eiagos draustin\u0117 juosta - tai energijos barjeras, skiriantis valentin\u0119 ir laidumo juostas, ir parodo, ar med\u017eiaga gali sustiprinti arba perjungti elektroninius signalus ir elektros energij\u0105.<\/p>\n
Silicio karbidas yra da\u017eniausiai naudojama pla\u010diajuost\u0117 puslaidininkin\u0117 med\u017eiaga. Jis pla\u010diai naudojamas radijo da\u017eni\u0173 (RF) ir didel\u0117s spartos tranzistoriuose, veikian\u010diuose auk\u0161tesn\u0117se \u012ftampose ir temperat\u016brose, taip pat energijos konversijos sistemose, kurios yra neatsiejama atsinaujinan\u010diosios energijos ir tinkl\u0173 infrastrukt\u016bros sistem\u0173 dalis.<\/p>\n
D\u0117l plataus SiC juostos tarpo \u0161ie puslaidininkiai gali veikti esant didesnei \u012ftampai ir ma\u017eesniems nuostoliams, o tai rei\u0161kia, kad ma\u017eiau energijos prarandama didinant perdavimo greit\u012f ir didinant da\u017en\u012f ry\u0161i\u0173 sistemose. Tod\u0117l SiC yra viena perspektyviausi\u0173 ateities elektronikos, energijos vartojimo efektyvumo ir tvarumo technologij\u0173.<\/p>\n
Silicio karbidas pla\u010diai naudojamas \u012fvairiems elektroniniams prietaisams gaminti. \u0160i med\u017eiaga pasi\u017eymi dideliu laidumu ir atsparumu \u0161iluminiams sm\u016bgiams - d\u0117l \u0161i\u0173 savybi\u0173 ji ypa\u010d tinka prietaisams, veikiantiems auk\u0161toje temperat\u016broje arba esant auk\u0161tai \u012ftampai.<\/p>\n
D\u0117l patvarumo ir cheminio inerti\u0161kumo \u0161i med\u017eiaga yra ideali. Ji nereaguoja su r\u016bg\u0161timis ar \u0161armais ir gali atlaikyti iki 2700 laipsni\u0173 C temperat\u016br\u0105, nei\u0161silydydama. Be to, d\u0117l savo energijos juostos tarpo ji atspari elektromagnetiniams trikd\u017eiams ir spinduliuotei.<\/p>\n
Silicio karbido (SiC) plok\u0161tel\u0117s yra esminiai pa\u017eangi\u0173 elektronini\u0173 prietais\u0173 elementai. Jos gaminamos i\u0161 monokristalini\u0173 luit\u0173, sudaryt\u0173 i\u0161 didelio grynumo safyro, germanio arba silicio, kurie v\u0117liau precizi\u0161kais pj\u016bklais supjaustomi \u012f plok\u0161tes, skirtas gamybai - 4H-SiC ir 6H-SiC plok\u0161tel\u0117s ypa\u010d populiarios d\u0117l didesnio elektron\u0173 judrumo ir platesnio juostos tarpo savybi\u0173 - ir naudojamos trump\u0173j\u0173 bang\u0173 optikoje, auk\u0161tatemperat\u016briuose puslaidininkiuose ir galios elektronikoje.<\/p>\n
Silicio karbido (SiC) plok\u0161tel\u0117s yra moderniausios galios puslaidininki\u0173 technologijos pagrindas ir labai svarbios atsinaujinan\u010diosios energijos, elektrini\u0173 transporto priemoni\u0173 ir aviacijos bei kosmoso srityse. Deja, SiC plok\u0161teli\u0173 gamyba yra intensyvus ir sud\u0117tingas procesas.<\/p>\n
Silicio karbidas skiriasi nuo silicio tuo, kad turi platesn\u012f juostos tarp\u0105, t. y. elektronams sunkiau pereiti i\u0161 valentin\u0117s juostos \u012f laidumo juost\u0105 ir atvirk\u0161\u010diai. D\u0117l \u0161io skirtumo silicio karbido substratai gali atlaikyti didesnius elektrinius laukus.<\/p>\n
Silicio karbido plok\u0161tel\u0117s pasi\u017eymi ma\u017eu atsparumu \u012fjungimui ir yra pakankamai kietos, kad atlaikyt\u0173 net at\u0161iauriausias aplinkos s\u0105lygas, tod\u0117l puikiai tinka auk\u0161toms temperat\u016broms, pvz., elektromobili\u0173 keitikliams ir pramoninei \u012frangai.<\/p>\n
Gamintojai, SiC plok\u0161tel\u0117ms gaminti naudojantys chemines poliravimo suspensijas ir veltinio arba poliuretanu impregnuotus poliravimo padus, naudoja chemines poliravimo suspensijas ir poliuretanu impregnuotus poliravimo padus, kad pa\u0161alint\u0173 oksido sluoksnio pa\u017eeidimus substrato pavir\u0161iuje, o po poliravimo u\u017ededa poliuretano arba silicio nitrido pl\u0117vel\u0117s apsaug\u0105, kad substrato pavir\u0161ius b\u016bt\u0173 lygus ir apsaugotas nuo tolesni\u0173 pa\u017eeidim\u0173 atliekant apdorojimo etapus. Jie gali pagaminti iki de\u0161imties 150 mm storio plok\u0161teli\u0173, naudodami vienos plok\u0161tel\u0117s partijos \u012frankius, ta\u010diau gamybos paj\u0117gum\u0173 apribojimai riboja rinkos gamybos paj\u0117gumus.<\/p>\n
Silicio karbido (SiC) plok\u0161tel\u0117s yra labai svarbios vystant daugel\u012f technologij\u0173, nuo galios elektronikos iki 5G tinkl\u0173. SiC gali pakeisti \u012fvairias puslaidininki\u0173 programas.<\/p>\n
SiC yra sud\u0117tinis puslaidininkis, sudarytas i\u0161 silicio ir anglies atom\u0173, sujungt\u0173 \u012f naujovi\u0161k\u0105 kristalin\u0119 strukt\u016br\u0105, vadinam\u0105 tetraedrin\u0117s jungties konfig\u016bracija, tod\u0117l pasi\u017eymi \u012fvairiomis unikaliomis fizikin\u0117mis savyb\u0117mis. Pirm\u0105 kart\u0105 komerci\u0161kai pagamintas 1893 m. kaip pramoninis abrazyvas, nuo to laiko jis prad\u0117tas naudoti daugelyje puslaidininki\u0173 sri\u010di\u0173, \u012fskaitant \u0160otkio diodus (tiek jungties barjero \u0160otkio diodus, tiek jungties barjero \u0160otkio diodus), jungiklius ir metalo oksido puslaidininki\u0173 lauko tranzistorius.<\/p>\n
Prie\u0161ingai nei tradicin\u0117s silicio plok\u0161tel\u0117s, silicio karbidas pasi\u017eymi ypatingu atsparumu oksidacijai ir cheminiu inerti\u0161kumu bei dideliu mechaniniu tvirtumu - tai vienintel\u0117 puslaidininkin\u0117 med\u017eiaga, galinti atlaikyti kosmoso s\u0105lygas, pavyzd\u017eiui, ekstremalias temperat\u016bras ir radiacijos lyg\u012f.<\/p>\n
Auk\u0161tos kokyb\u0117s SiC plok\u0161tel\u0117s k\u016brimas prasideda nuo lygaus ir ma\u017eai \u0161iurk\u0161taus pavir\u0161iaus suk\u016brimo. Chemi\u0161kai mechaninis poliravimas (CMP), paskutinis plok\u0161teli\u0173 gamybos etapas, skirtas paruo\u0161ti substrat\u0105 epitaksiniam augimui ir minimaliai pakeisti plok\u0161teli\u0173 form\u0105.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide wafers are used as substrates in power electronic devices such as diodes and MOSFETs, offering superior hardness, stability under heat and voltage and non-reactivity with respect to oxidation resistance. Available in 100mm and 150mm diameter sizes. These substrates also provide protection from thermal shock caused by sudden changes in temperature, with their low […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[64],"tags":[],"class_list":["post-333","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/333","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=333"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/333\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":334,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/333\/revisions\/334"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=333"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=333"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/lt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=333"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}