When selecting rod components, it’s essential to select high quality options. Consider guides with CRB Elite, Fuji alconite or American Tackle Nanolite ceramic rings as these premium inserts offer hardiness, smoothness and lighter weight than stainless steel options. These advanced ring materials reduce friction, heat and damage to fishing line, leading to longer casting distance […]

Silicio karbido Šotkio diodai (SCSD) yra plataus juostinio tarpo puslaidininkiniai įtaisai, plačiai naudojami galios elektronikoje. Palyginti su įprastais silicio prietaisais, SCSD pasižymi didesniu našumu ir didesniu energijos vartojimo efektyvumu, todėl jų bendras galios konversijos efektyvumas yra geresnis nei jų silicio analogų. "Galaxy Microelectronics" 650 V ir 1200 V "SiC" Šotkio diodai puikiai tinka sunkiai perjungiamoms programoms, nes pasižymi mažesniu tiesioginiu perjungimu.

Silicio karbidas (SiC) yra kieta, elektrai laidi medžiaga. Dėl šios savybės SiC idealiai tinka naudoti puslaidininkiniuose įtaisuose, kuriuose tiek tiesioginė, tiek atvirkštinė srovė veikia dideliu pralaidumu. Taikant atsako paviršiaus metodiką, buvo sudarytas analitinis modelis, kuris koreliuoja pjovimo jėgas ir paviršiaus šiurkštumą frezuojant aliuminio silicio karbido dalelių ir metalo matricos kompozitus, kai

Silicio karbido mosfetai (MOSFET) yra vis dažniau naudojamas komponentas galios elektronikos projektuose. Šie plačiajuosčiai galios puslaidininkiai pasižymi daugeliu privalumų, palyginti su silicio įtaisais, įskaitant mažesnius perjungimo nuostolius ir mažesnį šilumos išsklaidymą. Dėl šių išskirtinių savybių šie keitikliai idealiai tinka aukštatemperatūriams taikymams, pavyzdžiui, elektromobilių įkrovimo stotelėms, atsinaujinančiosios energijos sistemoms, UPS įrenginiams ir

"Wolfspeed" stato didžiausią pasaulyje silicio karbido medžiagų gamyklą, kurioje bus gaminami aukštos kokybės SiC galios perjungimo ir radijo dažnių puslaidininkiniai įtaisai. Projektuotojai gali naudoti SiC MOSFET, kad sumažintų sistemos dydį, sąnaudas ir galios tankį, kartu padidindami efektyvumą ir patikimumą. Platus "Wolfspeed" neapdorotų gaminių asortimentas leidžia kurti sistemos lygmens projektus, skirtus didžiausio galios tankio reikalaujančioms taikomosioms programoms. EV

Silicio karbidas (SiC) yra naujoviška neoksidinė keramika, pasižyminti puikiomis cheminėmis ir fizikinėmis savybėmis. Skirtingose temperatūrose jis pasižymi savybėmis, panašiomis ir į metalų, ir į izoliatorių - ši savybė suteikia SiC būdingą lankstumą. Aliuminio oksidas gali būti legiruotas n tipo azotu ir fosforu arba p tipo aliuminiu, boru ir galiu, kad būtų galima jį dar labiau modifikuoti.

Silicio karbidas, dažniau vadinamas karborundu, yra išskirtinai kieta keraminė medžiaga, pasižyminti dideliu tvirtumu ir atsparumu dilimui. Be to, jo cheminis inertiškumas leidžia užtikrinti didelį šilumos laidumą ir mažą šiluminio plėtimosi koeficientą, o jis yra labai atsparus oksidacijai ir degradacijai aukštoje temperatūroje. Priešingai nei įprastinės kristalinės medžiagos, a-SiC yra netvarkingas.

Silicio karbidas yra itin kieta ir aštri medžiaga, naudojama įvairių tipų abrazyviniams įrankiams gaminti. Iš šios medžiagos pagaminti šlifavimo diskai greitai pašalina šiukšles ir užtikrina sklandų rezultatą. Šie diskai turi popierinį arba medžiaginį pagrindą, o jų grūdeliai patikimai laikosi dervos jungtimi. Galimi įvairaus grūdėtumo

Silicio karbidas (paprastai vadinamas karborundu) yra pramoninė medžiaga, turinti daugybę paskirčių. Silicio karbidas, sudarytas iš šešiakampės vurcito kristalinės struktūros, gali būti įvairiai naudojamas pramonėje, o beta variantai su cinko blende struktūra turi mažiau komercinio potencialo. Laboratorijoje iš a-SiC pagamintų grūdelių ekstinkcijos spektrai labai atitinka astronominių stebėjimų metu matomus spektrus. Matavimai ir

Silicio karbidas (SiC) yra viena kiečiausių medžiagų, nusileidžianti tik deimantui. Dėl savo išskirtinio stiprumo ir atsparumo dilimui savybių SiC puikiai tinka naudoti tokiose srityse kaip abrazyvai ir ugniai atsparios medžiagos. SiC randamas tiek natūraliuose moisanito mineraluose, tiek gaminamas sintetiniu būdu tokiose įmonėse kaip "Blasch ULTRON" sukepintas SiC. SiC pasižymi šiomis savybėmis