Silicon carbide semiconductors boast wider bandgaps that enable electrical energy transfer more efficiently than their silicon counterparts, making them suitable for applications like power electronics for electric vehicles and space exploration instruments. This makes silicon carbide particularly suited for use on rovers and probes. Coherent is establishing a new subsidiary to supply 150 mm and […]

실리콘 카바이드는 산업 공정에 혁명을 일으킬 수 있는 혁신적인 소재입니다. 이 획기적인 소재는 극한의 온도, 마모성 환경, 부식에 잘 견디는 동시에 뛰어난 강도와 수명을 제공합니다. 실리콘 카바이드 튜브는 다이아몬드에 이어 두 번째로 경도가 높고 화학 물질을 분해 없이 운반할 수 있다는 두 가지 특징이 있습니다.

실리콘 카바이드는 전력 전자제품에 혁신을 일으키고 있습니다. 실리콘 카바이드는 기존 실리콘 트랜지스터를 서서히 대체하는 동시에 상당한 성능 향상을 제공합니다. 재료의 물리적, 전자적 특성으로 인해 엔지니어들은 이 기술을 도입하는 것을 꺼릴 수 있습니다. 안타깝게도 오해로 인해 이 기술을 완전히 채택하지 못할 수도 있습니다. 실리콘 카바이드는 모이사나이트 보석으로 자연적으로 발생하며 합성적으로도 발생합니다.

실리콘 카바이드는 단단하고 단단한 표면 특성으로 인해 천체 망원경의 우수한 거울 재료로 사용되며 지상 전기 자동차 및 우주선 탐사선의 전력 전자 장치의 핵심 부품을 형성하기도 합니다. 칸은 덴소와 미쓰비시 전기가 기판과 에피웨이퍼 수준에서 SiC 칩을 적극적으로 조달하는 두 가지 주요 시스템 회사라고 언급합니다. 무엇

실리콘 카바이드는 연마 공구를 만드는 데 사용되는 가장 단단한 재료 중 하나입니다. 극한의 열과 압력에도 손상되거나 성능이 저하되지 않고 견딜 수 있습니다. 이 디스크는 단단한 천연석 표면을 샌딩하고 연마하는 데 이상적이며, 재료를 빠르게 제거하면서 동시에 매끄러운 표면 마감을 만들어냅니다. 다음에서 사용 가능

실리콘 카바이드 (SiC)는 매우 넓은 밴드 갭을 가진 무기 반도체 재료로 전기 전도성 또는 절연체 역할을 번갈아 수행 할 수있어 기존 실리콘 반도체에 비해 우수한 전기 전도성으로 인해 전력 전자 장치에 유용합니다. EAG Laboratories는 SiC에 대한 대량 및 공간 분해 분석 기술을 수행하는 데 광범위한 전문 지식을 보유하고 있습니다.

실리콘 카바이드(SiC)는 필수 기술 소재로 부상했습니다. 연마재, 기술 세라믹 및 내화물은 물론 반도체 제조에도 사용됩니다. 석유 코크스 형태의 탄소와 혼합된 실리카 모래를 거대한 개방형 "Acheson" 용광로에서 고온으로 가열하여 생산되는 SiC는 그린

실리콘 카바이드는 연삭 휠, 샌딩 벨트 및 분사 매체에서 흔히 볼 수 있는 연마재입니다. 무기 화합물로서 경도 면에서 다이아몬드 및 탄화붕소와 경쟁합니다. 블랙 실리콘 카바이드(카보룬덤)는 가장 일반적으로 사용되는 연마재 중 하나로, 단단하고 각진 입자가 특징이며 다음과 같은 작업을 효과적으로 처리할 수 있습니다.

실리콘 카바이드(SiC)는 특이한 결정 구조를 가지고 있습니다. 이는 4개의 Si 원자와 4개의 C 원자가 정렬된 배위 사면체 배열로 구성되어 있으며, 층이 다면체로 쌓여 기본 배위 사면체를 형성합니다. 전기적으로 탄화규소는 실리콘보다 5-10배 높은 전압을 견딜 수 있습니다. 따라서 전력용으로 탁월한 소재입니다.

반도체 기업에게 기술 발전은 한 세대에 한 번 있는 일이며, 이를 받아들이는 기업은 막대한 수익을 거둘 수 있습니다. 현재 Wolfspeed가 된 Cree는 실리콘 카바이드 전력 디바이스 트렌드의 혜택을 누릴 수 있습니다. 디바이스 설계 및 생산 분야의 혁신을 통해 각 웨이퍼에서 동일한 전력 등급을 가진 더 작은 칩을 제조할 수 있으므로