지식

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Amorphous silicon carbide (a-SiC) boasts impressive mechanical and strength properties that could revolutionize various industries. Its yield strength surpasses that of well-known materials like Kevlar, making it suitable for applications including microchip sensors and advanced solar cells. a-SiC stands out from its competition due to its superior tensile strength and versatility, being capable of fabrication

Coherent of Saxonburg, PA announced on April 8 that Japanese auto suppliers DENSO and Mitsubishi Electric have invested $1 billion into its silicon carbide business, holding a 12.5% non-controlling stake in a newly established subsidiary that will operate the business under Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology at Coherent.

Silicon carbide (SiC) is an amazing material with remarkable strength and resilience. Able to endure high temperatures, harsh chemicals and corrosion resistance – these characteristics make SiC an unparalleled material. When selecting a silicon carbide tube for your project, several elements need to be taken into account such as temperature, pressure, corrosion-prone environment and size/shape.

실리콘 카바이드 전력 소자는 뛰어난 재료 특성으로 인해 전기 자동차의 에너지 효율을 향상시키는 데 필수적인 역할을 합니다. 순수한 형태의 실리콘 카바이드는 절연체 역할을 하지만, 불순물(도판트)을 도핑하면 전자 반도체로 변할 수 있습니다. 이러한 용도로 사용되는 도펀트에는 질소 또는 인 도핑이 포함됩니다.

실리콘 카바이드(SiC) 세라믹 제품은 부식, 마모 및 고온에 대한 저항성으로 잘 알려져 있으며, 이러한 특성 덕분에 버너 노즐, 제트 및 화염 튜브의 장기 내화 재료로도 사용됩니다. SiC는 높은 열전도율, 낮은 열전도율을 제공하면서 1600degC의 높은 온도에서도 강도를 유지하는 이상적인 소재입니다.

유나이티드 실리콘 카바이드는 반도체 제조업체입니다. 이 회사는 뉴저지 전역에 위치한 고객을 위해 FET, JFET, 쇼트키 다이오드와 같은 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체를 생산합니다. 또한 유나이티드 실리콘 카바이드는 글로벌 사업장을 통해 전 세계 고객에게 서비스를 제공합니다. 실리콘 카바이드 시장 성장은 고성능 전력에 대한 수요 증가에 의해 촉진될 것입니다.

실리콘 카바이드 다이오드는 실리콘 장치보다 더 높은 성능 수준과 더 작은 폼 팩터로 인해 다양한 회로 설계에서 점점 더 인기를 얻고 있습니다. WeEn의 SiC 쇼트키 배리어 다이오드는 리드 및 볼트온 스타일부터 표면 실장 SMD 장치에 이르기까지 다양한 패키지로 제공되며 광범위한 내구성 테스트를 거쳐 다음을 보장합니다.

고온 표면 점화기(HSI)는 저전압 전기가 통과하여 가열함으로써 가스레인지 점화 플러그를 효과적으로 대체하는 역할을 합니다. 작동 온도까지 가열되면 HSI는 정류된 DC 신호를 생성하여 불꽃이 있는지 확인하고 주 개방 가스 밸브 위치를 유지합니다.