A szinterezett szil\u00edciumkarbid (SiC) egy inert ker\u00e1miaanyag, amely sz\u00e1mos alkalmaz\u00e1ssal rendelkezik, a h\u0151m\u00e9rs\u00e9klett\u0171r\u00e9st\u0151l \u00e9s a k\u00e9miai\/mechanikai ellen\u00e1ll\u00e1st\u00f3l kezdve a kiv\u00e1l\u00f3 k\u00e9miai \u00e9s mechanikai tulajdons\u00e1gokig.<\/p>\n
A reakci\u00f3k\u00f6t\u00e9s\u0171 SiC-ker\u00e1mi\u00e1kat por\u00f3zus sz\u00e9n alapanyag felhaszn\u00e1l\u00e1s\u00e1val, inert atmoszf\u00e9r\u00e1ban, k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 form\u00e1z\u00e1si technik\u00e1kkal, p\u00e9ld\u00e1ul sz\u00e1raz pr\u00e9sel\u00e9ssel, \u00f6nt\u00e9ssel vagy extrud\u00e1l\u00e1ssal \u00e1ll\u00edtj\u00e1k el\u0151 - \u00edgy b\u00e1rmilyen form\u00e1j\u00fa term\u00e9kek k\u00e9sz\u00edthet\u0151k.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid az egyik legkem\u00e9nyebb anyag, amely magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten is meg\u0151rzi kem\u00e9nys\u00e9g\u00e9t, ugyanakkor ellen\u00e1ll az oxid\u00e1ci\u00f3nak \u00e9s a korr\u00f3zi\u00f3nak - mik\u00f6zben fele olyan neh\u00e9z, mint az ac\u00e9l! Tov\u00e1bb\u00e1, h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9ge sz\u00e1mos alkalmaz\u00e1st biztos\u00edt - mivel f\u00e9lvezet\u0151 anyagk\u00e9nt is haszn\u00e1lhat\u00f3.<\/p>\n
Mivel a szil\u00edciumkarbid el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1ra t\u00f6bbf\u00e9le m\u00f3dszer l\u00e9tezik, mint p\u00e9ld\u00e1ul a reakci\u00f3szinterez\u00e9s \u00e9s a k\u00f6zvetlen szinterez\u00e9s, ennek az anyagnak a gy\u00e1rt\u00e1sa k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 eszk\u00f6z\u00f6kkel t\u00f6rt\u00e9nik. A reakci\u00f3szinterez\u00e9s sor\u00e1n foly\u00e9kony szil\u00edciumot sziv\u00e1rogtatnak por\u00f3zus sz\u00e9n- vagy grafitszerkezetekbe, hogy s\u0171r\u0171, \u00f6nk\u00f6t\u0151 sic szerkezetek alakuljanak ki, amelyek \u00f6sszetettebb alakzatokkal rendelkeznek, mint a k\u00f6zvetlen szinterezett sic, de alacsonyabb szil\u00e1rds\u00e1gi \u00e9s kem\u00e9nys\u00e9gi \u00e9rt\u00e9kekkel, mint a k\u00f6zvetlen el\u0151dje; az alacsonyabb feldolgoz\u00e1si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet miatt ez a m\u00f3dszer el\u0151ny\u00f6s a nagy \u00e9s \u00f6sszetett alakzatokhoz.<\/p>\n
A szinterel\u0151 anyagok finom a-SiC-r\u00e9szecsk\u00e9kb\u0151l, oxidokb\u00f3l \u00e9s adal\u00e9kanyagokb\u00f3l \u00e1llnak, amelyeket \u00f6sszekevernek \u00e9s \u00f6sszepr\u00e9selnek, hogy szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten meleg\u00edtend\u0151 nyersanyagokat alkossanak. Miut\u00e1n el\u00e9gg\u00e9 felmelegedtek, ezeket a nyersanyagokat addig meleg\u00edtik, am\u00edg mikroszerkezet\u00fckben egyenletesen elhelyezked\u0151, tiszta szemcsehat\u00e1rokkal \u00e9s nagyfok\u00fa szerkezeti integrit\u00e1ssal rendelkez\u0151 szemcs\u00e9k nem jelennek meg. B\u00e1r a kem\u00e9nys\u00e9g miatt a szinterel\u0151 anyag megmunk\u00e1l\u00e1sa kih\u00edv\u00e1st jelent, pontos m\u00e9retei lehet\u0151v\u00e9 teszik a pontos m\u00e9retekkel rendelkez\u0151 alkatr\u00e9szek gy\u00e1rt\u00e1s\u00e1t; emellett j\u00f3 tribol\u00f3giai tulajdons\u00e1gai \u00e9s elektromos vezet\u0151k\u00e9pess\u00e9ge miatt katonai v\u00e9delmi c\u00e9lokra is alkalmas, mivel magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten ellen\u00e1ll a ballisztikus \u00fct\u00e9seknek.<\/p>\n
A szinterezett szil\u00edciumkarbid egy rendk\u00edv\u00fcl tart\u00f3s, magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet\u0171 m\u0171k\u00f6d\u00e9sre tervezett anyag, amely kiv\u00e9teles h\u0151t\u00e1gul\u00e1si tulajdons\u00e1gokkal \u00e9s kiv\u00e1l\u00f3 tribol\u00f3giai tulajdons\u00e1gokkal rendelkezik. Ezenk\u00edv\u00fcl korr\u00f3zi\u00f3v\u00e9delmi tulajdons\u00e1gai \u00e9s k\u00e9miai \u00fct\u00e9s\u00e1ll\u00f3s\u00e1ga t\u00f6k\u00e9letes anyagg\u00e1 teszi az atomreaktorok radioakt\u00edv elemek vagy olvadt s\u00f3 korr\u00f3zi\u00f3 elleni v\u00e9delm\u00e9re.<\/p>\n
A korr\u00f3zi\u00f3\u00e1ll\u00f3s\u00e1g \u00e9rt\u00e9kel\u00e9s\u00e9n\u00e9l k\u00e9t t\u00e9nyez\u0151t kell figyelembe venni: a fel\u00fclet visszah\u00faz\u00f3d\u00e1si sebess\u00e9g\u00e9t \u00e9s a ker\u00e1mia mechanikai szil\u00e1rds\u00e1g\u00e1t. A magas visszah\u00faz\u00f3d\u00e1si sebess\u00e9g nem felt\u00e9tlen\u00fcl jelent nagyobb korr\u00f3zi\u00f3\u00e1ll\u00f3s\u00e1got; ink\u00e1bb gyenge pontokat hozhat l\u00e9tre a fel\u00fcleten, amelyek megk\u00f6nny\u00edtik a salak behatol\u00e1s\u00e1t \u00e9s a felsz\u00edn alatti lyukak kialakul\u00e1s\u00e1t, ami v\u00e9g\u00fcl id\u0151vel erod\u00e1lja a mechanikai szil\u00e1rds\u00e1got.<\/p>\n
A szil\u00edciumkarbid korr\u00f3zi\u00f3\u00e1ll\u00f3s\u00e1ga a k\u00f6rnyezet\u00e9t\u0151l f\u00fcgg, ez\u00e9rt a korr\u00f3zi\u00f3\u00e1ll\u00f3s\u00e1g \u00e9rt\u00e9kel\u00e9s\u00e9hez megfelel\u0151 ipari kemencek\u00f6rnyezetben korr\u00f3zi\u00f3s vizsg\u00e1latokat kell v\u00e9gezni. Az ilyen k\u00f6rnyezetek jellemz\u0151en az ipari k\u00f6rnyezetekt\u0151l elt\u00e9r\u0151 \u00f6sszet\u00e9tel\u0171 \u00e9s h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet-eloszl\u00e1si mint\u00e1zatot k\u00edn\u00e1lnak, \u00e9s az \u00e9rt\u00e9kel\u00e9si folyamat r\u00e9szek\u00e9nt \u00e9rt\u00e9kelni kell a ker\u00e1miaanyag szennyez\u0151d\u00e9seit, szinterel\u00e9si seg\u00e9danyagait, szemcsehat\u00e1rf\u00e1zisait.<\/p>\n
Az olyan szinterel\u00e9si adal\u00e9kanyagok, mint a b\u00f3r \u00e9s a sz\u00e9n, bizony\u00edtottan jelent\u0151sen fokozz\u00e1k a szil\u00edciumkarbid korr\u00f3zi\u00f3\u00e1ll\u00f3s\u00e1g\u00e1t az\u00e1ltal, hogy megv\u00e1ltoztatj\u00e1k a szemcsehat\u00e1rokat, ami viszont megakad\u00e1lyozza az \u00fcvegk\u00e9pz\u0151d\u00e9st ezeken a hat\u00e1rokon \u00e9s a m\u00e1sodlagos f\u00e1zisok n\u00f6veked\u00e9s\u00e9t a fel\u00fcleten.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid (SiC) rendk\u00edv\u00fcl h\u0151vezet\u0151 anyag. Szobah\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten a tiszta SiC egykrist\u00e1lyok hat\u00e9kony h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9ge 490 W m-1 K-1; a szinterek, szemcsehat\u00e1rf\u00e1zisok \u00e9s szil\u00e1rd oldatok polikrist\u00e1lyos jellege azonban a t\u00f6bbsz\u00f6r\u00f6s fononsz\u00f3r\u00e1s miatt cs\u00f6kkenti ezt a vezet\u0151k\u00e9pess\u00e9get.<\/p>\n
A szinterezett szil\u00edciumkarbidot a por t\u00f6m\u00f6r darabb\u00e1 pr\u00e9sel\u00e9s\u00e9vel \u00e9s szinterez\u00e9s\u00e9vel (meleg\u00edt\u00e9s\u00e9vel) \u00e1ll\u00edtj\u00e1k el\u0151. A k\u00e9szterm\u00e9k rendk\u00edv\u00fcl er\u0151s \u00e9s kem\u00e9ny, valamint korr\u00f3zi\u00f3- \u00e9s kop\u00e1s\u00e1ll\u00f3 - t\u00f6k\u00e9letes a t\u00f6m\u00edt\u00e9sek, csap\u00e1gyak \u00e9s v\u00e1g\u00f3szersz\u00e1mok ig\u00e9nyes alkalmaz\u00e1saihoz. A szinterezett szil\u00edciumkarbid k\u00f6nny\u0171 \u00e9s kiv\u00e1l\u00f3 mechanikai tulajdons\u00e1gai r\u00e9v\u00e9n el\u00e9g k\u00f6nny\u0171 ahhoz, hogy gy\u00e1rt\u00e1si c\u00e9lokra k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 form\u00e1kba \u00e9s m\u00e9retekbe \u00e1ll\u00edts\u00e1k el\u0151.<\/p>\n
Az SSiC el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1ra a nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterez\u00e9s az el\u0151nyben r\u00e9szes\u00edtett m\u00f3dszer. Ebben az elj\u00e1r\u00e1sban az a-SiC port nem oxid szinterez\u0151 adal\u00e9kanyagokkal keverik \u00f6ssze, hogy paszt\u00e1t k\u00e9pezzenek, amelyet extrud\u00e1l\u00e1ssal vagy hideg izosztatikus pr\u00e9sel\u00e9ssel t\u00f6m\u00f6r\u00edtenek, hogy kiv\u00e1l\u00f3 mechanikai tulajdons\u00e1gokkal rendelkez\u0151, s\u0171r\u0171 term\u00e9keket k\u00e9pezzenek. Att\u00f3l f\u00fcgg\u0151en, hogy milyen adal\u00e9kanyagokat v\u00e1lasztottak a szinterez\u00e9shez, az eredm\u00e9nyek jellemz\u0151en szinte teljesen s\u0171r\u0171, kiv\u00e1l\u00f3 mechanikai tulajdons\u00e1gokkal rendelkez\u0151 term\u00e9keket tartalmaznak.<\/p>\n
Tov\u00e1bb\u00e1, mivel a szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet enn\u00e9l a technik\u00e1n\u00e1l alacsonyabb, mint a reakci\u00f3k\u00f6t\u00e9ses szinterel\u00e9si m\u00f3dszerekn\u00e9l, az el\u0151\u00e1ll\u00edtott anyag zsugorod\u00e1sa cs\u00f6kken, \u00e9s az alacsonyabb szinterel\u00e9si h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet\u0171 szinterek amorf f\u00e1zis\u00e1nak h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9ge alacsonyabb, mint a krist\u00e1lyos a-SiC komponens\u00e9.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid (SiC) ker\u00e1mi\u00e1k kem\u00e9ny \u00e9s rugalmas term\u00e9szet\u00fckr\u0151l ismertek. Emellett kiv\u00e1l\u00f3 mechanikai jellemz\u0151kkel, valamint k\u00e9miai \u00e9s h\u0151\u00e1ll\u00f3s\u00e1ggal rendelkeznek; valamint nagy szil\u00e1rds\u00e1ggal. A SiC-t gyakran haszn\u00e1lj\u00e1k kompozit p\u00e1nc\u00e9lrendszerekben a ballisztikus fenyeget\u00e9sek elleni v\u00e9delem \u00e9rdek\u00e9ben. A SiC k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 elj\u00e1r\u00e1sokkal, p\u00e9ld\u00e1ul sz\u00e1raz pr\u00e9sel\u00e9ssel \u00e9s extrud\u00e1l\u00e1ssal gy\u00e1rthat\u00f3; k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 min\u0151s\u00e9gek is el\u0151\u00e1ll\u00edthat\u00f3k a k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 v\u00e9gfelhaszn\u00e1l\u00e1si k\u00f6vetelm\u00e9nyeknek megfelel\u0151en, por alak\u00fa vagy egyedi geometri\u00e1j\u00fa, k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 form\u00e1kkal, p\u00e9ld\u00e1ul reakci\u00f3k\u00f6t\u00e9ssel (HIPSIC) vagy nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcl szinterezett szil\u00edciumkarbiddal, amely nagy teljes\u00edtm\u00e9nyt ny\u00fajt, m\u00edg a nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcl szinterezett szil\u00edciumkarbid szinte p\u00f3rusok n\u00e9lk\u00fcl, kiv\u00e1l\u00f3 ballisztikai v\u00e9delmet biztos\u00edt a ballisztikai fenyeget\u00e9sekkel szemben. A SiC t\u00f6meggy\u00e1rt\u00e1si c\u00e9lokra sz\u00e1raz pr\u00e9sel\u00e9ssel vagy extrud\u00e1l\u00e1ssal is el\u0151\u00e1ll\u00edthat\u00f3; \u00edgy a SiC kiv\u00e1l\u00f3 anyag a ballisztikus fenyeget\u00e9sek ellen haszn\u00e1lt kompozit p\u00e1nc\u00e9lrendszerekben val\u00f3 felhaszn\u00e1l\u00e1sra, a ballisztikus fenyeget\u00e9sek ellen \u00e9p\u00edtett kompozit p\u00e1nc\u00e9lrendszerekkel szemben, a ballisztikus fenyeget\u00e9sek ellen \u00e9p\u00edtett kompozit p\u00e1nc\u00e9lrendszerekkel szemben, a ballisztikus fenyeget\u00e9sek ellen \u00e9p\u00edtett kompozit p\u00e1nc\u00e9lrendszerekkel szemben, a k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 form\u00e1kkal, t\u00f6bbek k\u00f6z\u00f6tt reakci\u00f3k\u00f6t\u00e9ssel vagy nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcl szinterezett form\u00e1kkal el\u0151\u00e1ll\u00edtott SiC anyagok felhaszn\u00e1l\u00e1s\u00e1val, por vagy por form\u00e1j\u00e1ban el\u00e9rhet\u0151 form\u00e1k felhaszn\u00e1l\u00e1s\u00e1val a ballisztikus fenyeget\u00e9sek ellen \u00e9p\u00edtett kompozit p\u00e1nc\u00e9lrendszerekkel szemben. A SiC gy\u00e1rt\u00e1s\u00e1nak gy\u00e1rt\u00e1si m\u00f3dszerei k\u00f6z\u00e9 tartoznak a sz\u00e1raz pr\u00e9sel\u00e9s vagy extrud\u00e1l\u00e1s technik\u00e1i, \u00e9s a por m\u00e9ret\u00e9t a specifikus v\u00e9gpontok szerint gy\u00e1rtj\u00e1k. gy\u00e1rt\u00e1si folyamatok, mint a sz\u00e1raz pr\u00e9sel\u00e9s\/extrud\u00e1l\u00e1s m\u00f3dszerek vagy mindk\u00e9t m\u00f3dszer gy\u00e1rt\u00e1si folyamatok, mint a reakci\u00f3 szinterel\u00e9si folyamat haszn\u00e1lt nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterezett szil\u00edcium besziv\u00e1rgott sz\u00e9nnel besziv\u00e1rgott sz\u00e9nnel besziv\u00e1rgott besziv\u00e1rgott sz\u00e9nnel besziv\u00e1rgott folyamatot haszn\u00e1l\u00f3 nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterezett szil\u00edciumkarbid gy\u00e1rt\u00e1si m\u00f3dszerek szinte teljesen pormentes szil\u00edciumkarbid gy\u00e1rt\u00e1si folyamat el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1sa por form\u00e1ban por form\u00e1ban el\u00e9rhet\u0151, amikor nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterezett form\u00e1k k\u00e9sz\u00fcltek. K\u00e9t n\u00e9pszer\u0171 technik\u00e1kat haszn\u00e1lnak reakt\u00edv vagy nyom\u00e1smentes szinterez\u00e9s fenyeget\u00e9sek k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 fokozat\u00fa rendelkez\u00e9sre \u00e1ll\u00f3 vagy reakci\u00f3 k\u00f6t\u00e9s vagy nyom\u00e1smentes szinterezett term\u00e9kek r\u00e9v\u00e9n nyom\u00e1smentes szinterezett szil\u00edcium infilt szinterez\u00e9s vagy nyom\u00e1smentes szinterezett nyom\u00e1smentes szinterezett v\u00e1ltozatok miatt nyom\u00e1smentes szinterez\u00e9s szinterez\u00e9si folyamat, m\u00edg nyom\u00e1smentes szinterezett anyagot el\u0151\u00e1ll\u00edtott. Nyom\u00e1smentes szinterezett form\u00e1k el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1ra por majd por vagy nyom\u00e1smentes szinterezett szil\u00edcium szuvas szinterez\u00e9s HIPSIC (vagy nyom\u00e1smentes szinterezett szinterezett szinterezett szil\u00edcium karbid termel\u00e9si szinterez\u00e9s folyamat por, amely mindk\u00e9t m\u00f3don, m\u00edg szinterezett nyom\u00e1smentes szinterezett technik\u00e1k termel\u00e9s f\u00fcggv\u00e9ny\u00e9ben ak\u00e1r reakci\u00f3 k\u00f6t\u00e9s folyamatok vagy nyom\u00e1smentes szinterezett nyom\u00e1smentes szinterezett szil\u00edcium Carboring. A szinterelt term\u00e9kek mindk\u00e9t reakci\u00f3 szinterez\u00e9s szinte p\u00f3rusmentes, ha mindk\u00e9t m\u00f3don k\u00e9sz\u00fclt, miel\u0151tt Szinterezett szinterezett szinterezett sz\u00e9n anyag, mint a szinterezett szil\u00edcium carve.) amikor t\u00f6meg.<\/p>\n
A nitridhez k\u00f6t\u00f6tt szil\u00edciumkarbid vonz\u00f3 alternat\u00edv\u00e1t k\u00edn\u00e1l az ac\u00e9lok \u00e9s a p\u00e1rn\u00e1zott hegeszt\u00e9s mellett a talajmunkadarabokban val\u00f3 felhaszn\u00e1l\u00e1sra, mivel k\u00f6nny\u0171 talajviszonyok k\u00f6z\u00f6tt nagyobb kop\u00e1s\u00e1ll\u00f3s\u00e1got biztos\u00edt, mint ac\u00e9l vagy p\u00e1rn\u00e1zott hegeszt\u00e9s eset\u00e9n, ugyanakkor a szemcsem\u00e9ret n\u00f6veked\u00e9s\u00e9vel nagyobb \u00fct\u00e9skop\u00e1s-ellen\u00e1ll\u00e1st biztos\u00edt. Ez a tanulm\u00e1ny \u00f6sszehasonl\u00edtja a nitricidk\u00f6t\u00e9s\u0171 szil\u00edciumkarbid, a b\u00f3rac\u00e9l \u00e9s az F-61 bet\u00e9thegeszt\u00e9s kop\u00e1si jellemz\u0151it k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 talajviszonyok k\u00f6z\u00f6tt.<\/p>\n
K\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleteken \u00e9s olajken\u00e9si k\u00f6r\u00fclm\u00e9nyek k\u00f6z\u00f6tt kezeletlen \u00e9s kezelt szinterezett szil\u00edciumkarbidot (SiC) vizsg\u00e1ltak egy goly\u00f3s-lemezes tribom\u00e9terrel egy Al2O3 goly\u00f3val szemben. Az eredm\u00e9nyek azt mutatt\u00e1k, hogy a tribol\u00f3giai viselked\u00e9se jav\u00edthat\u00f3 ultrahangos nanokrist\u00e1lyos fel\u00fcletm\u00f3dos\u00edt\u00e1ssal (UNSM), cs\u00f6kkentett s\u00farl\u00f3d\u00e1si \u00e9s kop\u00e1si mennyis\u00e9ggel, mint kezeletlen t\u00e1rsa.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Sintered silicon carbide (SiC) is an inert ceramic material with numerous applications, from temperature tolerance and chemical\/mechanical resistance, to excellent chemical and mechanical properties. Reaction bonded SiC ceramics are produced using porous carbon feedstock in inert atmospheres through various forming techniques such as dry pressing, casting or extrusion – creating products of all shapes. Hardness […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[64],"tags":[],"class_list":["post-76","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/76","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=76"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/76\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":77,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/76\/revisions\/77"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=76"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=76"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=76"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}