A szil\u00edcium-karbid rendk\u00edv\u00fcl megb\u00edzhat\u00f3, sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag\u00fa f\u00e9lvezet\u0151 anyag. Ez lehet\u0151v\u00e9 teszi, hogy a bel\u0151le k\u00e9sz\u00fclt eszk\u00f6z\u00f6k magasabb fesz\u00fclts\u00e9gen, frekvenci\u00e1n \u00e9s h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten m\u0171k\u00f6djenek, mint a hagyom\u00e1nyos szil\u00edciumeszk\u00f6z\u00f6k.<\/p>\n
Az egyr\u00e9teg\u0171 SiC lehet a kataliz\u00e1tora a magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet\u0171 elektronika \u00e9s az energiaell\u00e1t\u00f3 eszk\u00f6z\u00f6k forradalmi fejl\u0151d\u00e9s\u00e9nek. P\u00e1ratlan optikai, mechanikai, k\u00e9miai \u00e9s m\u00e1gneses tulajdons\u00e1gokkal rendelkezik a magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet\u0171 eszk\u00f6z\u00f6k p\u00e1ratlan funkcionalit\u00e1sa \u00e9rdek\u00e9ben.<\/p>\n
A f\u00e9lvezet\u0151k s\u00e1vh\u00e9zaga a valencias\u00e1vjuk \u00e9s a vezet\u00e9si s\u00e1vjuk k\u00f6z\u00f6tti t\u00e9r; ez az energiar\u00e9s jelenti azt a minim\u00e1lis energiamennyis\u00e9get, amelyre egy fotonnak sz\u00fcks\u00e9ge van ahhoz, hogy az elektronokat az egyik s\u00e1vb\u00f3l a m\u00e1sikba gerjessze, elektromos \u00e1ramot hozzon l\u00e9tre, \u00e9s \u00edgy hat\u00e9konyan m\u0171k\u00f6dtesse \u0151ket. A s\u00e1vh\u00e9zagok k\u00f6zponti szerepet j\u00e1tszanak m\u0171k\u00f6d\u00e9s\u00fckben; a f\u00e9lvezet\u0151k k\u00f6z\u00f6tt azonban az anyag\u00f6sszet\u00e9tel\u00fckt\u0151l f\u00fcgg\u0151en elt\u00e9r\u00e9sek vannak.<\/p>\n
A szil\u00edcium, az egyik leggyakrabban haszn\u00e1lt f\u00e9lvezet\u0151, s\u00e1vh\u00e9zaga jellemz\u0151en 0,6 eV \u00e9s 1,5 eV k\u00f6z\u00f6tt van, ami azt jelenti, hogy a szil\u00edciumalap\u00fa eszk\u00f6z\u00f6k m\u0171k\u00f6d\u00e9s\u00e9hez viszonylag magas fesz\u00fclts\u00e9gre van sz\u00fcks\u00e9g. Sajnos a termikus aktiv\u00e1l\u00e1s megakad\u00e1lyozhatja az eszk\u00f6z megfelel\u0151 m\u0171k\u00f6d\u00e9s\u00e9t. A sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag\u00fa f\u00e9lvezet\u0151k (WBG) nagyobb v\u00e9delmet ny\u00fajtanak a termikus aktiv\u00e1ci\u00f3val szemben, mivel magasabb fesz\u00fclts\u00e9gen \u00e9s frekvenci\u00e1n m\u0171k\u00f6dnek.<\/p>\n
A WBG f\u00e9lvezet\u0151 technol\u00f3gi\u00e1k gyorsan el\u0151t\u00e9rbe ker\u00fcltek a nagyobb hat\u00e9konys\u00e1got \u00e9s gyorsabb kapcsol\u00e1st ig\u00e9nyl\u0151 teljes\u00edtm\u00e9nyelektronikai alkalmaz\u00e1sokban, p\u00e9ld\u00e1ul a sz\u00e9ls\u0151s\u00e9ges fesz\u00fclts\u00e9gek, h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletek vagy sug\u00e1rszennyezett k\u00f6rnyezetben m\u0171k\u00f6d\u0151 alkalmaz\u00e1sokban. Ezek a technol\u00f3gi\u00e1k nem csak k\u00e9pesek ilyen sz\u00e9ls\u0151s\u00e9ges k\u00f6r\u00fclm\u00e9nyek k\u00f6z\u00f6tt m\u0171k\u00f6dni, hanem a vezet\u00e9si \u00e9s kapcsol\u00e1si vesztes\u00e9gek cs\u00f6kkent\u00e9s\u00e9vel jelent\u0151sen jav\u00edtj\u00e1k a teljes\u00edtm\u00e9nyt is - \u00edgy tov\u00e1bb n\u00f6velik a hat\u00e9konys\u00e1got \u00e9s a gyorsabb kapcsol\u00e1si id\u0151t.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid egyed\u00fcl\u00e1ll\u00f3 fizikai \u00e9s elektronikus tulajdons\u00e1gai miatt az egyik leg\u00edg\u00e9retesebb WBG f\u00e9lvezet\u0151. A szil\u00edciumot \u00e9s a szenet v\u00e1ltakoz\u00f3 hexagon\u00e1lis szerkezetben, a gy\u00e9m\u00e1nthoz hasonl\u00f3 er\u0151s kovalens k\u00f6t\u00e9sekkel kombin\u00e1lva a szil\u00edcium-karbid rendk\u00edv\u00fcl nagy s\u00e1vh\u00e9zaggal rendelkezik, a szil\u00edcium t\u00e1rsain\u00e1l h\u00e1romszor nagyobb lavinaszer\u0171 \u00e1tt\u00f6r\u00e9si mez\u0151vel.<\/p>\n
A WBG f\u00e9lvezet\u0151k kiemelked\u0151 teljes\u00edtm\u00e9nyt ny\u00fajtanak az \u00fctk\u00f6z\u00e9ses ioniz\u00e1ci\u00f3 - az a folyamat, amelynek sor\u00e1n a gerjesztett elektronok a r\u00e1cs atomjaival \u00fctk\u00f6zve fotonokat hoznak l\u00e9tre, amelyek a LED-ek \u00e9s l\u00e9zerek sz\u00e1m\u00e1ra el\u0151\u00e1ll\u00edtott r\u00f6vid hull\u00e1mhossz\u00fa f\u00e9nyt eredm\u00e9nyezik - tekintet\u00e9ben, mivel a szil\u00edcium t\u00e1rsaikn\u00e1l jobban ellen\u00e1llnak a magas fesz\u00fclts\u00e9geknek \u00e9s frekvenci\u00e1knak az \u00fctk\u00f6z\u00e9ses ioniz\u00e1ci\u00f3 sor\u00e1n. A WBG-k szil\u00edcium t\u00e1rsaikhoz k\u00e9pest sokkal jobban ellen\u00e1llnak az ilyen \u00fctk\u00f6z\u00e9ses ioniz\u00e1ci\u00f3s folyamatoknak.<\/p>\n
A gallium-nitrid \u00e9s a szil\u00edcium-karbid f\u00e9lvezet\u0151k sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zaggal (WBG) rendelkeznek, amelyek a szil\u00edciumn\u00e1l h\u00e1romszor nagyobb s\u00e1vh\u00e9zaggal b\u00fcszk\u00e9lkedhetnek, \u00edgy ide\u00e1lisak a teljes\u00edtm\u00e9nyelektronikai alkalmaz\u00e1sokhoz. S\u00e1vjaik a Brillouin-z\u00f3na k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 r\u00e9szein l\u00e9tezhetnek, de hasonl\u00f3 elektronszerkezet\u0171ek; a l\u00e1gy r\u00f6ntgenabszorpci\u00f3s \u00e9s -emisszi\u00f3s (SXA) spektroszk\u00f3pia kimutatta ezt a jelens\u00e9get, \u00e9s meg\u00e1llap\u00edtotta, hogy a helyi r\u00e9szleges \u00e1llapots\u0171r\u0171s\u00e9g\u00fck (LPDOS) k\u00f6zel azonos a k\u00f6b\u00f6s 3C-SiC, a hexagon\u00e1lis 4H-SiC \u00e9s a rombo\u00e9deres 6H-SiC eset\u00e9ben.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid sz\u00e9lesebb s\u00e1vh\u00e9zaga lehet\u0151v\u00e9 teszi, hogy a teljes\u00edtm\u00e9ny-f\u00e9lvezet\u0151k magasabb fesz\u00fclts\u00e9gen \u00e9s h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten m\u0171k\u00f6djenek, \u00edgy alkalmasak az olyan teljes\u00edtm\u00e9ny-\u00e1talak\u00edt\u00f3 eszk\u00f6z\u00f6kh\u00f6z, mint a di\u00f3d\u00e1k \u00e9s a MOSFET-ek. A szil\u00edcium-karbid cs\u00f6kkentheti az \u00e1ramk\u00f6r\u00f6k magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9klett\u0151l val\u00f3 v\u00e9delm\u00e9re jelenleg haszn\u00e1lt bonyolult akt\u00edv h\u0171t\u0151rendszerek sz\u00fcks\u00e9gess\u00e9g\u00e9t; az ilyen rendszerek n\u00f6velik a j\u00e1rm\u0171vek t\u00f6meg\u00e9t, k\u00f6lts\u00e9geit \u00e9s bonyolults\u00e1g\u00e1t. Tov\u00e1bb\u00e1 a magasabb \u00fczemi h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet seg\u00edthet a nagy kapacit\u00e1s\u00fa akkumul\u00e1torok kik\u00fcsz\u00f6b\u00f6l\u00e9s\u00e9ben, amelyek el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1sa k\u00f6lts\u00e9ges, mik\u00f6zben \u00e9rt\u00e9kes helyet foglalnak el a j\u00e1rm\u0171vekben.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid \u00e1t\u00fct\u00e9si mezeje az egyik f\u0151 t\u00e9nyez\u0151je annak, hogy a hagyom\u00e1nyos f\u00e9lvezet\u0151kn\u00e9l nagyobb fesz\u00fclts\u00e9get k\u00e9pes kezelni, mivel elegend\u0151 energi\u00e1t biztos\u00edt az elektronoknak ahhoz, hogy \u00e1tt\u00f6rj\u00e9k a valencia- \u00e9s vezet\u00e9si s\u00e1vok k\u00f6z\u00f6tti korl\u00e1tokat. A szil\u00edciumkarbid a szil\u00edciumhoz k\u00e9pest 10-szer nagyobb \u00e1t\u00fct\u00e9si t\u00e9rrel b\u00fcszk\u00e9lkedhet, m\u00edg a gallium-nitrid a 3,3 MV\/cm-es \u00e1t\u00fct\u00e9si t\u00e9rnek k\u00f6sz\u00f6nhet\u0151en m\u00e9g nagyobb fesz\u00fclts\u00e9geket k\u00e9pes kezelni - tov\u00e1bb n\u00f6velve sokoldal\u00fas\u00e1g\u00e1t elektromos vezet\u0151k\u00e9nt.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid kiemelkedik a t\u00f6bbi \u201csz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag\u00fa\u201d f\u00e9lvezet\u0151 k\u00f6z\u00fcl, mivel sz\u00e1mos olyan tulajdons\u00e1ggal b\u00fcszk\u00e9lkedhet, amelyek alkalmass\u00e1 teszik a teljes\u00edtm\u00e9nyelektronikai alkalmaz\u00e1sokhoz, bele\u00e9rtve a sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zagot, a h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet-t\u0171r\u00e9st \u00e9s a sug\u00e1rz\u00e1s\u00e1ll\u00f3s\u00e1got. A szil\u00edcium-karbid az egyik legfejlettebb \u201csz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag\u00fa\u201d f\u00e9lvezet\u0151 a t\u00f6megkrist\u00e1lyok n\u00f6veked\u00e9si folyamatai, az eszk\u00f6zgy\u00e1rt\u00e1si folyamatok, a magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet\u0171 alkalmaz\u00e1sok, p\u00e9ld\u00e1ul a teljes\u00edtm\u00e9nytranzisztorok\/egyenir\u00e1ny\u00edt\u00f3k\/turbinamotorok \u00e9g\u00e9sellen\u0151rz\u00e9se \u00e9s a l\u00e1ngdetektorok tekintet\u00e9ben; a szil\u00edcium-karbid val\u00f3ban a \u201csz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag\u00fa\u201d anyagok egyike.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zaga lehet\u0151v\u00e9 teszi, hogy sz\u00e1mos \u00e1ram\u00e1talak\u00edt\u00f3 alkalmaz\u00e1sban, t\u00f6bbek k\u00f6z\u00f6tt DC-DC \u00e1talak\u00edt\u00f3kban \u00e9s elektromos j\u00e1rm\u0171vek fed\u00e9lzeti t\u00f6lt\u0151iben haszn\u00e1lj\u00e1k. Mivel magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten is j\u00f3l m\u0171k\u00f6dik, mik\u00f6zben kiv\u00e1l\u00f3 fesz\u00fclts\u00e9gblokkol\u00f3 tulajdons\u00e1gokkal rendelkezik, a szil\u00edcium-karbid kiv\u00e1l\u00f3 anyagv\u00e1laszt\u00e1s az energia\u00e1talak\u00edt\u00e1s hat\u00e9konys\u00e1g\u00e1nak jav\u00edt\u00e1s\u00e1ra, mivel cs\u00f6kkenti a hagyom\u00e1nyos szil\u00edciumeszk\u00f6z\u00f6k \u00e1ltal okozott energiavesztes\u00e9get.<\/p>\n
A szil\u00edciumkarbid integr\u00e1l\u00e1sa speci\u00e1lis k\u00e9szs\u00e9geket ig\u00e9nyel, hogy a felhaszn\u00e1l\u00e1sa az energia\u00e1talak\u00edt\u00f3 rendszerhez igazodjon, \u00e9s megfeleljen a m\u00e9ret- \u00e9s tervez\u00e9si el\u0151\u00edr\u00e1soknak. Az Aptiv rendszerintegr\u00e1tork\u00e9nt szerzett szak\u00e9rtelm\u00e9nek k\u00f6sz\u00f6nhet\u0151en megfelel\u0151 helyzetben van ahhoz, hogy seg\u00edtsen a gy\u00e1rt\u00f3knak az egyedi alkalmaz\u00e1sokhoz megfelel\u0151 teljes\u00edtm\u00e9nyspecifik\u00e1ci\u00f3k \u00e9s anyagv\u00e1ltozatok kiv\u00e1laszt\u00e1s\u00e1ban.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid a k\u00f6zelm\u00faltban nagy hull\u00e1mokat vert a f\u00e9lvezet\u0151iparban sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag\u00e1nak k\u00f6sz\u00f6nhet\u0151en. A szil\u00edciumkarbid szil\u00edciumb\u00f3l (14-es atomi sz\u00e1m) \u00e9s sz\u00e9nb\u0151l \u00e1ll, er\u0151s kovalens k\u00f6t\u00e9sekkel er\u0151s \u00e9s stabil szerkezeteket alkotva, a szil\u00edcium-karbid a szil\u00edciumeszk\u00f6z\u00f6kkel ellent\u00e9tben p\u00e9ld\u00e1tlan elektromos t\u00e9rer\u0151ss\u00e9ggel \u00e9s h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9ggel rendelkezik, ami vonz\u00f3 jel\u00f6ltet jelent a kem\u00e9ny k\u00f6rnyezetben, t\u00f6bbek k\u00f6z\u00f6tt magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten vagy sug\u00e1rz\u00e1snak kit\u00e9ve m\u0171k\u00f6d\u0151 teljes\u00edtm\u00e9nyelektronikai eszk\u00f6z\u00f6k sz\u00e1m\u00e1ra.<\/p>\n
A SiC sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zaga lehet\u0151v\u00e9 teszi a magasabb frekvenci\u00e1kon val\u00f3 m\u0171k\u00f6d\u00e9st is, \u00edgy kiv\u00e1l\u00f3 v\u00e1laszt\u00e1s a v\u00e1ltoz\u00f3 fesz\u00fclts\u00e9geket \u00e9s \u00e1ramer\u0151ss\u00e9geket kezel\u0151 \u00e1talak\u00edt\u00f3khoz. Ez az energiatakar\u00e9kos tulajdons\u00e1ga tov\u00e1bb\u00e1 a SiC-t energiatakar\u00e9kosabb\u00e1 teszi a hagyom\u00e1nyos f\u00e9lvezet\u0151kn\u00e9l.<\/p>\n
A szil\u00edciumalap\u00fa technol\u00f3gi\u00e1k a teljes\u00edtm\u00e9nyelektronik\u00e1ban el\u00e9rik hat\u00e1raikat, ami \u00faj anyagokat ig\u00e9nyel. A gallium-nitrid \u00e9s a szil\u00edcium-karbid potenci\u00e1lis helyettes\u00edt\u0151k\u00e9nt jelent meg, amelyek magasabb frekvenci\u00e1kon jobb ellen\u00e1ll\u00f3k\u00e9pess\u00e9get ny\u00fajtanak, mik\u00f6zben lehet\u0151v\u00e9 teszik a sz\u00e9lesebb spektrum\u00fa alkalmaz\u00e1sokhoz sz\u00fcks\u00e9ges \u00f6sszetettebb \u00e1ramk\u00f6r\u00f6k kialak\u00edt\u00e1s\u00e1t.<\/p>\n
A sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag a f\u00e9lvezet\u0151k szerves r\u00e9sze, amely lehet\u0151v\u00e9 teszi az elektronok k\u00f6nny\u0171 \u00e1raml\u00e1s\u00e1t a valencias\u00e1v \u00e9s a vezet\u00e9si s\u00e1v k\u00f6z\u00f6tt. Ez a r\u00e9s hat\u00e1rozza meg, hogy egy anyag vezet\u0151k\u00e9nt vagy szigetel\u0151k\u00e9nt viselkedik-e; a vezet\u0151kn\u00e9l a r\u00e9s \u00e1tfed\u00e9sben van, m\u00edg a szigetel\u0151kn\u00e9l jelent\u0151s mennyis\u00e9g\u0171 energi\u00e1ra van sz\u00fcks\u00e9g az \u00e1tjut\u00e1shoz. A f\u00e9lvezet\u0151k keskenyebb r\u00e9ssel rendelkeznek, mint a szigetel\u0151k, \u00e9s ez\u00e9rt nagyobb vezet\u0151k\u00e9pess\u00e9get biztos\u00edtanak, mint t\u00e1rsaik, an\u00e9lk\u00fcl, hogy az \u00e1tl\u00e9p\u00e9shez annyi energi\u00e1ra lenne sz\u00fcks\u00e9g.<\/p>\n
A leg\u00fajabb tanulm\u00e1nyok kimutatt\u00e1k, hogy a SiC hexagon\u00e1lis szerkezet\u00e9nek fesz\u00fclts\u00e9ge befoly\u00e1solja annak elektronikus tulajdons\u00e1gait, k\u00fcl\u00f6n\u00f6sen a s\u00e1vh\u00e9zagot. A kapott eredm\u00e9nyek szerint az \u00f6mlesztett szil\u00edciumkarbid HOMO- \u00e9s LUMO-szintje f\u00fcgg a polyt\u00edpust\u00f3l. Ez a hat\u00e1s k\u00fcl\u00f6n\u00f6sen kifejezett a nanokrist\u00e1lyos SiC eset\u00e9ben, ahol a polyt\u00edpusoss\u00e1g az egy krist\u00e1lyszerkezeten bel\u00fcli k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 krist\u00e1lyrajzi orient\u00e1ci\u00f3k miatt keletkezik. Az 1,5 nm \u00e1tm\u00e9r\u0151j\u0171 SiC nanokrist\u00e1lyok (NC-k) a LUMO energi\u00e1juk megv\u00e1ltoz\u00e1sa miatt k\u00e9k eltol\u00f3d\u00e1st mutatnak. Az 1. t\u00e1bl\u00e1zat a k\u00eds\u00e9rleti EBD-ket (\u201cExperiment\u201d, piros) \u00e9s az elm\u00e9leti sz\u00e1m\u00edt\u00e1sokat (\u201cTheory-GW\u201d, k\u00e9k) tartalmazza. A nagyobb NC-k megn\u00f6vekedett LUMO-energi\u00e1ja cs\u00f6kkenti a s\u00e1vh\u00e9zagot, hasonl\u00f3an az \u00f6mlesztett szil\u00edciumkarbidn\u00e1l tapasztaltakhoz.<\/p>\n
A sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag\u00fa (WBG) anyagok a szil\u00edcium f\u00e9lvezet\u0151kn\u00e9l magasabb h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletet \u00e9s fesz\u00fclts\u00e9gt\u0171r\u00e9st biztos\u00edtanak, \u00edgy kiv\u00e1l\u00f3 v\u00e1laszt\u00e1snak bizonyulnak a sz\u00e9ls\u0151s\u00e9ges k\u00f6r\u00fclm\u00e9nyek k\u00f6z\u00f6tt m\u0171k\u00f6d\u0151 teljes\u00edtm\u00e9nyelektronikai alkalmaz\u00e1sokhoz. A WBG f\u00e9lvezet\u0151k r\u00e1ad\u00e1sul sug\u00e1rz\u00e1s\u00e1ll\u00f3ak - t\u00f6k\u00e9letesek az elektromos j\u00e1rm\u0171vek k\u00f6rnyezet\u00e9ben!<\/p>\n
A gallium-nitrid (GaN) \u00e9s a szil\u00edcium-karbid (SiC) a legkeresettebb sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zag\u00fa f\u00e9lvezet\u0151k k\u00f6z\u00e9 tartoznak, mivel a hagyom\u00e1nyos f\u00e9lvezet\u0151kn\u00e9l magasabb \u00fczemi h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten m\u0171k\u00f6dnek, \u00e9s nagyobb fesz\u00fclts\u00e9g\u0171 alkalmaz\u00e1sokban haszn\u00e1lhat\u00f3k. A GaN-t \u00e9s a SiC-et a szil\u00edciumt\u00f3l az k\u00fcl\u00f6nb\u00f6zteti meg, hogy s\u00e1vh\u00e9zaguk k\u00f6r\u00fclbel\u00fcl h\u00e1romszor nagyobb; ez hat\u00e1rozza meg, hogy az elektronok milyen gyorsan mozognak a vezet\u00e9si \u00e9s a valencias\u00e1vok k\u00f6z\u00f6tt, valamint azt, hogy ezek az anyagok mennyi f\u00e9nyt k\u00e9pesek elnyelni.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid egy rendk\u00edv\u00fcl nagy h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9g\u0171 \u00f6sszetett anyag. A F\u00f6ld egyik legkem\u00e9nyebb anyagak\u00e9nt a szil\u00edciumkarbid v\u00e1g\u00e1s\u00e1hoz gy\u00e9m\u00e1nthegy\u0171 peng\u00e9kre van sz\u00fcks\u00e9g. B\u00e1r a term\u00e9szetben ritka, a szil\u00edciumkarbid szintetikusan is el\u0151\u00e1ll\u00edthat\u00f3, ha a szil\u00edcium-dioxidot magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten, elektromos kemenc\u00e9ben sz\u00e9nnel reduk\u00e1lj\u00e1k. A szil\u00edciumkarbidnak sz\u00e1mos el\u0151nye van a hagyom\u00e1nyos szil\u00edcium f\u00e9lvezet\u0151kkel szemben, t\u00f6bbek k\u00f6z\u00f6tt a sz\u00e9lesebb \u00fczemi h\u0151m\u00e9rs\u00e9klettartom\u00e1ny \u00e9s a sug\u00e1rz\u00e1s\u00e1ll\u00f3s\u00e1g.<\/p>\n
A SiC-r\u0151l ismert, hogy rendk\u00edv\u00fcl sz\u00e9les fotonikus s\u00e1vh\u00e9zaggal rendelkezik, ami alkalmass\u00e1 teszi a kvantuminform\u00e1ci\u00f3-feldolgoz\u00f3 rendszerek sz\u00e1m\u00e1ra. A SiC sz\u00e9les fotonikus s\u00e1vh\u00e9zaga hat\u00e9konyan gy\u0171jti \u00f6ssze a sz\u00ednk\u00f6z\u00e9p emisszi\u00f3t egyetlen optikai m\u00f3dusba; e tulajdons\u00e1g teljes kihaszn\u00e1l\u00e1s\u00e1hoz meg kell \u00e9rteni, hogyan v\u00e1ltozik a s\u00e1vh\u00e9zag a h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet f\u00fcggv\u00e9ny\u00e9ben.<\/p>\n
A leg\u00fajabb kutat\u00e1sok kimutatt\u00e1k, hogy a SiC abszorpci\u00f3s egy\u00fctthat\u00f3ja a h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet n\u00f6veked\u00e9s\u00e9vel n\u0151, ami a k\u00f6zvetett s\u00e1vh\u00e9zag cs\u00f6kken\u00e9s\u00e9nek \u00e9s a fonons\u0171r\u0171s\u00e9g n\u00f6veked\u00e9s\u00e9nek k\u00f6sz\u00f6nhet\u0151. A k\u00eds\u00e9rleti adatok meger\u0151s\u00edtett\u00e9k ezeket az eredm\u00e9nyeket, \u00e9s j\u00f3 egyez\u00e9st mutattak az elm\u00e9leti \u00e9s k\u00eds\u00e9rleti eredm\u00e9nyek k\u00f6z\u00f6tt.<\/p>\n
A szerz\u0151k n\u00e9gyf\u00e9le szil\u00edciumkarbid (4H-SiC \u00e9s 6H-SiC), valamint a k\u00f6b\u00f6s b-szil\u00edciumkarbid (3C-SiC) fotonikus s\u00e1vh\u00e9zagainak \u00e1tfog\u00f3 vizsg\u00e1lat\u00e1t v\u00e9gezt\u00e9k el. Elemz\u00e9seik arra a k\u00f6vetkeztet\u00e9sre jutottak, hogy a 3C-SiC p\u00e1ratlan PBG-vel rendelkezik mind a TE-szer\u0171, mind a TM-szer\u0171 emisszi\u00f3 tekintet\u00e9ben, mivel a TM-r\u00e9s teljesen \u00e1tfed\u00e9sben van a TE-r\u00e9sszel.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[64],"tags":[],"class_list":["post-571","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/571","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=571"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/571\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":572,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/571\/revisions\/572"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=571"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=571"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=571"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}