Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Amorphous silicon carbide (a-SiC) has gained immense attention due to its variable optical and electronic properties. As it features rigidity, low thermal expansion rates, and visible light transparency it makes an attractive material for telescope mirrors. Material science is experiencing a revolution with the introduction of this novel material: a-SiC. With properties combining strength with

4H-SiC is an increasingly popular polytype of silicon carbide. Due to its wide bandgap and excellent thermal, electrical, and mechanical properties, it makes an ideal material for power electronics applications. We investigated the elastic deformation and cracking behavior of a single crystal 4H-SiC pillar specimen with [0001] orientation by performing four times loading-unloading compression strain

Silicon carbide whiskers, single-crystal micron-sized particles with outstanding physical and chemical properties, have garnered significant research interest due to their wide-ranging applications across many fields including high temperature structural materials and tool ceramics. Mullite ceramic is a highly chemically stable refractory material with superior mechanical and physical properties such as high hardness and temperature creep

Silicon carbide inverter technology is an exciting power semiconductor advancement. It boasts several advantages over conventional silicon devices, including lower power losses up to ten times less and improved thermal performance. McLaren Applied is employing a high-voltage CoolSiC metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), designed specifically to handle high voltage 800-volt systems found in electric

A szilíciumkarbid, közismertebb nevén karborundum, egy rendkívül kemény, szilíciumból és szénből álló szintetikus kristályos vegyület, amelyet nagy hővezető képesség, alacsony tágulási együttható, kémiai reakciókkal szembeni ellenállás és félvezető képesség jellemez. A moissanit, a természetes megfelelője, ásványként fordul elő, de csak nagyon korlátozott mennyiségben található meg a következő helyeken

A szilícium-karbid (SiC) képes ellenállni az elektromos járművek áramellátó rendszereinek nagyfeszültségű igényeinek. A Wolfspeed olyan szigetelési megoldásokat kínál, amelyeket kifejezetten a vontatásvezérlő inverterek SiC-konstrukcióinak támogatására terveztek. A szilíciumkarbid piac növekedése Az autóipar növekedése ösztönzi a szilíciumkarbid piaci növekedését, míg magas hőmérsékleti ellenállása a tűzálló anyagok iránti keresletet. Autóipar

A szilícium-karbid egy hihetetlenül kemény és tartós anyag, amely forradalmasítja a kézműves szerszámkészletet. A kézművesek precízen és könnyedén használhatják a felületek formázására, simítására és kiegyenlítésére - felemeli a befejezési folyamatot, és hozzáférést biztosít a kézművesek számára a precíziós befejezési képességekhez. Nem számít, hogy milyen anyagot csiszolnak - finom furnérokat vagy sűrű

A szilícium-karbidot olyan elektronikus eszközökben használják, amelyek erősítik, kapcsolják vagy átalakítják a jeleket egy elektromos áramkörön belül. Alacsonyabb feszültségellenállása és hőmérsékleti képességei miatt ezek az eszközök nagyobb frekvencián, kisebb teljesítményveszteséggel képesek működni. A SiC előállítása elektromos kemencében történik az Acheson-eljárás és a szilícium-dioxid-homok hevítése révén.

A szilícium-karbid MOSFET-ek (fém-oxid-félvezető mezőhatású tranzisztorok) a teljesítményelektronikai alkalmazások alapvető elemei, amelyek széles sávszélességű, nagy átütési feszültségű és áramsűrűségű jellemzőket kínálnak. Ezek a tápegységek különösen alkalmasak az olyan kemény kapcsolású topológiákhoz, mint az LLC és a ZVS, amelyek kisebb alkatrészekkel nagyobb rendszerhatékonyságot biztosítanak a kompaktabb kialakításhoz, csökkentett rendszerköltségek mellett, és energiahatékonyabbá teszik a rendszert.