tudás

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Amorphous silicon carbide (a-SiC) boasts impressive mechanical and strength properties that could revolutionize various industries. Its yield strength surpasses that of well-known materials like Kevlar, making it suitable for applications including microchip sensors and advanced solar cells. a-SiC stands out from its competition due to its superior tensile strength and versatility, being capable of fabrication

Coherent of Saxonburg, PA announced on April 8 that Japanese auto suppliers DENSO and Mitsubishi Electric have invested $1 billion into its silicon carbide business, holding a 12.5% non-controlling stake in a newly established subsidiary that will operate the business under Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology at Coherent.

Silicon carbide (SiC) is an amazing material with remarkable strength and resilience. Able to endure high temperatures, harsh chemicals and corrosion resistance – these characteristics make SiC an unparalleled material. When selecting a silicon carbide tube for your project, several elements need to be taken into account such as temperature, pressure, corrosion-prone environment and size/shape.

A szilícium-karbid teljesítményeszközök kiváló anyagi tulajdonságaiknak köszönhetően szerves szerepet játszanak az elektromos járművek energiahatékonyságának javításában. A szilícium-karbid tiszta formában szigetelőként viselkedik, azonban szennyeződésekkel (adalékanyagokkal) adalékolva elektronikus félvezetővé alakulhat át. Az ilyen felhasználásra szánt adalékanyagok közé tartozik a nitrogén- vagy foszforadalékolás az n-típusú szilícium-dioxidhoz.

A szilícium-karbid (SiC) kerámiatermékek jól ismertek a korrózióval, kopással és magas hőmérsékletekkel szembeni ellenállásukról - ezek a tulajdonságok teszik őket hosszú távú tűzálló anyaggá az égőfúvókák, sugár- és lángcsövek számára. A SiC ideális anyag, amely még 1600 fokos hőmérsékleten is megőrzi szilárdságát, miközben magas hővezető képességet, alacsony hővezető képességet és alacsony hőmérsékletet biztosít.

A United Silicon Carbide Inc. félvezetők gyártója. A vállalat szilíciumkarbid (SiC) teljesítmény félvezetőket, például FET-eket, JFET-eket és Schottky-diódákat gyárt New Jersey-szerte található ügyfelei számára. A United Silicon Carbide globális tevékenységein keresztül világszerte kiszolgálja az ügyfeleket. A szilícium-karbid piac növekedését valószínűleg a nagy teljesítményű teljesítményű teljesítmény-elektronikai félvezetők iránti növekvő kereslet fogja elősegíteni.

A szilícium-karbid diódák egyre népszerűbbé váltak az áramköri tervek széles skáláján, mivel a szilícium eszközökhöz képest nagyobb teljesítményűek és kisebb alakúak. A WeEn SiC Schottky-barrier diódái különböző csomagolásokban kaphatók, az ólmozott és csavaros kivitelűektől kezdve a felületre szerelhető SMD eszközökig, és kiterjedt tartóssági teszteknek vetik alá őket, hogy biztosítsák a következőket

A forró felületű gyújtó (HSI) a gázkazán gyújtógyertyáinak hatékony helyettesítőjeként szolgál azáltal, hogy lehetővé teszi az alacsony feszültségű elektromosság áthaladását és felmelegedését. Az üzemi hőmérsékletre történő felmelegítés után a HSI egyenirányított egyenáramú jelet ad, amely ellenőrzi a láng jelenlétét és fenntartja a gázszelep nyitott főhelyzetét.