Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

El carburo de silicio amorfo (a-SiC) ha suscitado gran interés por sus propiedades ópticas y electrónicas variables. Su rigidez, baja expansión térmica y transparencia a la luz visible lo convierten en un material muy atractivo para los espejos de los telescopios. La ciencia de los materiales está experimentando una revolución con la introducción de este novedoso material: el a-SiC. Con propiedades que combinan resistencia con

El 4H-SiC es un politipo de carburo de silicio cada vez más popular. Debido a su amplio bandgap y a sus excelentes propiedades térmicas, eléctricas y mecánicas, es un material ideal para aplicaciones de electrónica de potencia. Hemos investigado la deformación elástica y el comportamiento de agrietamiento de una probeta monocristalina de pilar de 4H-SiC con orientación [0001] realizando cuatro veces la deformación por compresión carga-descarga.

Los whiskers de carburo de silicio, partículas monocristalinas de tamaño micrométrico con extraordinarias propiedades físicas y químicas, han despertado un gran interés en la investigación debido a su amplio abanico de aplicaciones en muchos campos, como los materiales estructurales de alta temperatura y la cerámica para herramientas. La cerámica de mullita es un material refractario químicamente estable con propiedades mecánicas y físicas superiores, como alta dureza y fluencia térmica.

La tecnología de inversores de carburo de silicio es un interesante avance en semiconductores de potencia. Presenta varias ventajas frente a los dispositivos de silicio convencionales, como menores pérdidas de potencia, hasta diez veces menos, y un mejor rendimiento térmico. McLaren Applied emplea un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) CoolSiC de alto voltaje, diseñado específicamente para funcionar con sistemas de 800 voltios de alto voltaje que se utilizan en las redes eléctricas.

El carburo de silicio, más comúnmente conocido como carborundo, es un compuesto cristalino sintético extremadamente duro formado por silicio y carbono que se caracteriza por su alta conductividad térmica, bajo coeficiente de dilatación, resistencia a las reacciones químicas y capacidad semiconductora. La moissanita, su homólogo natural, se presenta como mineral pero sólo puede encontrarse en cantidades muy limitadas en

El carburo de silicio (SiC) puede soportar las demandas de alta tensión de los sistemas de alimentación de los vehículos eléctricos. Wolfspeed ofrece soluciones de aislamiento diseñadas específicamente para soportar diseños de SiC para inversores de control de tracción. Crecimiento del mercado del carburo de silicio El crecimiento de la industria del automóvil está impulsando el crecimiento del mercado del carburo de silicio, mientras que su resistencia a las altas temperaturas impulsa la demanda del sector refractario. Automoción

El carburo de silicio es un material increíble con una dureza y durabilidad excepcionales que revoluciona cualquier kit de herramientas de artesanía. Los artesanos pueden utilizarlo para dar forma, alisar y nivelar superficies con precisión y facilidad - elevando su proceso de acabado y proporcionando a los artesanos acceso a capacidades de acabado de precisión. No importa el material que se esté lijando - delicadas chapas o densas

El carburo de silicio se utiliza en dispositivos electrónicos que amplifican, conmutan o convierten señales dentro de un circuito eléctrico. Gracias a su menor resistencia a la tensión y a la temperatura, estos dispositivos pueden funcionar a frecuencias más altas con menos pérdidas de potencia. El SiC se produce a través de un horno eléctrico mediante el proceso Acheson y calentando arena de sílice

Los MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico) de carburo de silicio son elementos esenciales en las aplicaciones de electrónica de potencia, ya que ofrecen características de banda prohibida ancha, alta tensión de ruptura y densidad de corriente. Estas fuentes de alimentación son especialmente adecuadas para topologías de conmutación dura como LLC y ZVS, proporcionando una mayor eficiencia del sistema con componentes más pequeños para diseños más compactos con costes de sistema reducidos y una eficiencia energética.