Όνομα συγγραφέα: admin88

Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Το άμορφο καρβίδιο του πυριτίου (α-SiC) έχει κερδίσει τεράστια προσοχή λόγω των μεταβλητών οπτικών και ηλεκτρονικών ιδιοτήτων του. Καθώς διαθέτει ακαμψία, χαμηλούς ρυθμούς θερμικής διαστολής και διαφάνεια στο ορατό φως, αποτελεί ελκυστικό υλικό για κάτοπτρα τηλεσκοπίων. Η επιστήμη των υλικών βιώνει μια επανάσταση με την εισαγωγή αυτού του νέου υλικού: a-SiC. Με ιδιότητες που συνδυάζουν αντοχή με

Το 4H-SiC είναι ένας ολοένα και πιο δημοφιλής πολυτύπος καρβιδίου του πυριτίου. Λόγω του μεγάλου χάσματος ζώνης και των εξαιρετικών θερμικών, ηλεκτρικών και μηχανικών ιδιοτήτων του, αποτελεί ιδανικό υλικό για εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος. Διερευνήσαμε την ελαστική παραμόρφωση και τη συμπεριφορά ρηγμάτωσης ενός μονοκρυσταλλικού δείγματος πυλώνα 4H-SiC με προσανατολισμό [0001] εκτελώντας τέσσερις φορές φόρτιση-ανεκφόρτιση θλίψη-παραμόρφωση

Τα whiskers καρβιδίου του πυριτίου, μονοκρυσταλλικά σωματίδια μικροσκοπικού μεγέθους με εξαιρετικές φυσικές και χημικές ιδιότητες, έχουν συγκεντρώσει σημαντικό ερευνητικό ενδιαφέρον λόγω των ευρύτατων εφαρμογών τους σε πολλούς τομείς, συμπεριλαμβανομένων των δομικών υλικών υψηλής θερμοκρασίας και των κεραμικών εργαλείων. Το κεραμικό mullite είναι ένα εξαιρετικά χημικά σταθερό πυρίμαχο υλικό με ανώτερες μηχανικές και φυσικές ιδιότητες, όπως υψηλή σκληρότητα και θερμοκρασιακό ερπυσμό

Η τεχνολογία αντιστροφέων καρβιδίου του πυριτίου είναι μια συναρπαστική εξέλιξη των ημιαγωγών ισχύος. Διαθέτει αρκετά πλεονεκτήματα σε σχέση με τις συμβατικές διατάξεις πυριτίου, συμπεριλαμβανομένων των χαμηλότερων απωλειών ισχύος έως και δέκα φορές λιγότερες και των βελτιωμένων θερμικών επιδόσεων. Η McLaren Applied χρησιμοποιεί ένα τρανζίστορ πεδίου-επίδρασης ημιαγωγού μεταλλικού οξειδίου CoolSiC υψηλής τάσης (MOSFET), σχεδιασμένο ειδικά για να χειρίζεται συστήματα υψηλής τάσης 800 βολτ που συναντώνται σε ηλεκτρικά

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in

Silicon Carbide (SiC) can withstand the high voltage demands of electric vehicle power systems. Wolfspeed offers isolation solutions designed specifically to support SiC designs for traction control inverters. Silicon Carbide Market Growth Automotive industry growth is driving market growth of silicon carbide while its high temperature resistance drive the demand from the refractory sector. Automotive

Silicon carbide is an incredible material with exceptional hardness and durability that revolutionizes any crafting toolkit. Craftsmen can utilize it to shape, smooth and level surfaces with precision and ease – elevating their finishing process and providing craftspeople with access to precision finishing capabilities. No matter the material being sanded – delicate veneers or dense

Silicon carbide is used in electronic devices that amplify, switch or convert signals within an electrical circuit. Due to its lower voltage resistance and temperature capabilities, these devices are able to operate at higher frequencies with less power losses. SiC is produced through an electric furnace using the Acheson process and by heating silica sand

Silicon Carbide MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) are essential elements in power electronic applications, offering wide bandgap, high breakdown voltage and current density characteristics. These power supplies are particularly suited for hard-switching topologies like LLC and ZVS, providing higher system efficiency with smaller components for more compact designs at reduced system costs and an energy efficient