{"id":559,"date":"2024-07-16T22:50:01","date_gmt":"2024-07-16T14:50:01","guid":{"rendered":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/?p=559"},"modified":"2024-07-16T22:50:01","modified_gmt":"2024-07-16T14:50:01","slug":"united-silicon-carbide-inc","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/ceramicatijolart.com\/de\/united-silicon-carbide-inc\/","title":{"rendered":"Vereinigte Siliziumkarbid Inc."},"content":{"rendered":"<p>United Silicon Carbide Inc, ist ein Hersteller von Halbleitern. Das Unternehmen produziert Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) wie FETs, JFETs und Schottky-Dioden f\u00fcr Kunden in New Jersey. United Silicon Carbide beliefert auch Kunden auf der ganzen Welt \u00fcber seine globalen Niederlassungen.<\/p>\n<p>Das Wachstum des Siliziumkarbidmarktes wird wahrscheinlich durch die steigende Nachfrage nach leistungsstarken Leistungshalbleitern, die in verschiedenen Anwendungen eingesetzt werden, vorangetrieben werden; die hohen Kosten k\u00f6nnten diese Expansion jedoch behindern.<\/p>\n<h2>Hocheffiziente Siliziumkarbid (SiC)-Bauelemente und ma\u00dfgeschneiderte Produkte<\/h2>\n<p>Halbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) eignen sich hervorragend f\u00fcr die Leistungsumwandlung. Die Hauptvorteile von SiC f\u00fcr Leistungswandler sind h\u00f6here Schaltgeschwindigkeiten und geringere Verluste, die zu kleineren Designs mit h\u00f6herem Wirkungsgrad und h\u00f6herer Leistungsdichte f\u00fchren - diese Vorteile erm\u00f6glichen eine effizientere Leistungswandlung mit weniger Komponenten und K\u00fchlungsanforderungen.<\/p>\n<p>SiC-Leistungsbauelemente und -module sind zu einem integralen Bestandteil der Leistungselektronik in verschiedenen Anwendungen geworden, von Antriebsumrichtern f\u00fcr Elektrofahrzeuge und USV-Einheiten \u00fcber Photovoltaik-Wechselrichter bis hin zu anderen kritischen Anwendungen, bei denen Robustheit bei hohen Temperaturen entscheidend ist.<\/p>\n<p>Die Leistungshalbleiter von ST mit breiter Bandl\u00fccke bieten im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Si-(Silizium-)MOSFET- und IGBT-Bauelementen einen zuverl\u00e4ssigeren Betrieb und weisen einen geringeren Durchlasswiderstand auf. Unser Portfolio umfasst diskrete SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden und JFETs, die f\u00fcr Hochgeschwindigkeitsschaltungen optimiert sind und eine verbesserte Zuverl\u00e4ssigkeit mit h\u00f6herer Sperrspannungsf\u00e4higkeit und reduzierter St\u00fcckliste bieten.<\/p>\n<p>Unsere Leistungsmodule sind mit Industriestandardgeh\u00e4usen und fortschrittlichen Geh\u00e4usetechnologien ausgestattet, um die Vorteile von SiC-Bauelementen voll auszusch\u00f6pfen, wie z. B. die niedrige Kommutierungsinduktivit\u00e4t, die hohe Schaltfrequenzen erm\u00f6glicht, was zu kleineren magnetischen Filterkomponenten f\u00fchrt und somit Gr\u00f6\u00dfe, Gewicht und Kosten des Systems reduziert.<\/p>\n<p>Wir haben uns dem Ziel verschrieben, eine beeindruckende Leistung zu liefern, auf die Sie sich bei Ihrem Design verlassen k\u00f6nnen. Deshalb sind unsere Experten bereit, in enger Zusammenarbeit mit Ihnen eine optimale L\u00f6sung zu entwickeln, die den Besonderheiten Ihrer Anwendung gerecht wird und gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten senkt und optimale Zuverl\u00e4ssigkeit bietet.<\/p>\n<p>Qorvo hat United Silicon Carbide im Jahr 2021 \u00fcbernommen und damit sein f\u00fchrendes Know-how auf dem Gebiet der SiC-Halbleiter mit dem umfangreichen L\u00f6sungsportfolio des Unternehmens und einem wachsenden Portfolio kombiniert. Es war eine ideale Akquisition, um unseren Kunden noch umfassendere, speziell auf ihre Anwendungen zugeschnittene L\u00f6sungen f\u00fcr Leistungsbauelemente anbieten zu k\u00f6nnen.<\/p>\n<p>Das Portfolio von UnitedSiC an EV-f\u00e4higen SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden und JFETs wird dazu beitragen, unser bestehendes Angebot zu erweitern und den Einsatz von SiC in der Leistungselektronik zu beschleunigen. Gemeinsam werden unsere Technologien, Produkte und Dienstleistungen eine erschwingliche Energieeffizienz in allen Schl\u00fcsselm\u00e4rkten erm\u00f6glichen und so zu einer umweltfreundlicheren Wirtschaft beitragen.<\/p>\n<h2>Leistungselektronik<\/h2>\n<p>Die Leistungselektronik ist von entscheidender Bedeutung f\u00fcr die Umwandlung von elektrischer Rohleistung in eine f\u00fcr verschiedene Anwendungen nutzbare Form, wobei die spezifischen Energiespezifikationen den verschiedenen Nutzungsspezifikationen entsprechen und der Energiefluss in einem System gesteuert wird. Leistungselektronik-Ingenieure sollten \u00fcber ein umfassendes Wissen \u00fcber die Systeme verf\u00fcgen, an denen sie arbeiten, um sie genau zu entwerfen und zu \u00fcberpr\u00fcfen; Simulationssoftware erm\u00f6glicht eine schnellere \u00dcberpr\u00fcfung von leistungselektronischen Systemen.<\/p>\n<p>United Silicon Carbide Inc. stellt Halbleiter her, die in der Leistungselektronik verwendet werden, wie SiC-Dioden, FET-Jet-Rechner und mehr. Ihre Produkte finden sich in Elektrofahrzeugen (EVs), Stromkreisschutz und industriellen Stromversorgungsanwendungen; sie sind ideal f\u00fcr Hochleistungsanwendungen, da sie h\u00f6heren Betriebstemperaturen standhalten und gleichzeitig geringere Schaltverluste aufweisen.<\/p>\n<p>Die Geschichte des Unternehmens in New Jersey, USA, reicht mehr als zwei Jahrzehnte zur\u00fcck. Das Expertenteam verf\u00fcgt \u00fcber umfassendes Wissen auf seinem Gebiet und nutzt Spitzentechnologie, um modernste Ger\u00e4te zu entwickeln. Das Unternehmen, das f\u00fcr seine Qualit\u00e4t und Leistung bekannt ist, stellt nicht nur Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid her, sondern auch verschiedene elektrische Komponenten, die in der Luft- und Raumfahrt, in Elektrofahrzeugen und in Rechenzentren verwendet werden.<\/p>\n<p>Einer der gr\u00f6\u00dften Fortschritte in der Leistungselektronik ist die Einf\u00fchrung effizienter K\u00fchlsysteme. Solche K\u00fchll\u00f6sungen k\u00f6nnen die Leistungsdichte (PD) und den Wirkungsgrad erheblich verbessern, indem sie die Anzahl der Komponenten verringern, Gewicht einsparen, die Temperatur senken und den kryogenen Verlust (einen ohmschen Verlust, der den Wirkungsgrad beeintr\u00e4chtigt) verringern.<\/p>\n<p>Leistungsantriebe sind ein weiterer wesentlicher Bestandteil von leistungselektronischen Systemen. Sie werden vor allem in Elektrofahrzeugen eingesetzt, um das Laden\/Entladen der Batterie und die Drehzahl des Motors zu regeln; Leistungsantriebe dienen auch zur Bereitstellung einer stabilen Stromversorgung f\u00fcr den Dauerbetrieb in Aufz\u00fcgen und Windkraftanlagen.<\/p>\n<p>Siliciumcarbid, eine Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff, weist eine ungew\u00f6hnliche Struktur auf, die durch tetraedrische Atomschichten gekennzeichnet ist. Aufgrund seiner ausgezeichneten Korrosions-, Verschlei\u00df- und Hitzebest\u00e4ndigkeit wird Siliciumcarbid seit langem f\u00fcr mechanische Dichtungen, Wellen, Gleitteile, Schleifmittel und Metallschmelztiegel verwendet. Obwohl es auch nat\u00fcrliche Quellen wie Moissanit-Edelsteine gibt, ist das meiste kommerziell hergestellte Siliciumcarbid heute synthetischen Ursprungs.<\/p>\n<h2>Elektrisch betriebene Fahrzeuge<\/h2>\n<p>Elektrofahrzeuge (EVs) k\u00f6nnen als alle Autos, Lastwagen, Busse, Motorr\u00e4der, Roller, Fahrr\u00e4der oder Nutzfahrzeuge definiert werden, die mit einem Elektromotor angetrieben werden. Sie werden mit gespeicherter Energie betrieben, die durch regeneratives Bremsen oder durch direktes Anschlie\u00dfen an ein Stromnetz (direkt oder durch Aufladen an Bord) wieder aufgeladen werden kann. Als Alternative zu Fahrzeugen, die mit fossilen Brennstoffen betrieben werden, verursachen E-Fahrzeuge weniger Emissionen und verbrauchen weniger \u00d6l als ihre fossilen Pendants.<\/p>\n<p>Der Verkauf von Elektrofahrzeugen ist in den letzten Jahren rasant gestiegen, und bis 2023 wird der weltweite Absatz von Elektrofahrzeugen voraussichtlich 14 Millionen Einheiten \u00fcbersteigen. Sowohl die Regierungen als auch die Hersteller haben verschiedene Anreize, wie z. B. Steuergutschriften, geschaffen, um die K\u00e4ufer zu ermutigen. Dar\u00fcber hinaus bieten die steigenden \u00d6lpreise einen weiteren Anreiz zum Umstieg.<\/p>\n<p>Allerdings k\u00f6nnen viele Faktoren die Einf\u00fchrung und das Wachstum von E-Fahrzeugen behindern. Die meisten Modelle erreichen nur eine ungef\u00e4hre Reichweite von 100 Meilen, bevor die Ladezeit weiter verl\u00e4ngert werden muss. Dar\u00fcber hinaus kann sich der Austausch der Batterien von E-Fahrzeugen als kostspielig erweisen, verglichen mit dem Austausch bei herk\u00f6mmlichen Fahrzeugen.<\/p>\n<p>Um diese Einschr\u00e4nkungen zu \u00fcberwinden, entwickelt die Elektroautoindustrie Batterien und Motoren in rasantem Tempo weiter. Die Unternehmen haben mit der Entwicklung fortschrittlicher Materialien begonnen, die die Batterieleistung verbessern, die Reichweite erh\u00f6hen und die Ladezeit verk\u00fcrzen. All dies d\u00fcrfte dazu beitragen, den Marktanteil von Elektroautos in den n\u00e4chsten zehn Jahren zu erh\u00f6hen, so dass der Anteil von Elektroautos an der Pkw-Flotte bis 2050 auf \u00fcber 25% steigen wird.<\/p>\n<p>Die Regierung Biden hofft, dass sie mit ihrem Infrastructure Bill und dem Inflation Reduction Act diese Elektrifizierung beschleunigen und die Produktion von Batterien, Motoren und anderen f\u00fcr Elektrofahrzeuge ben\u00f6tigten Komponenten wiederbeleben kann. Eine EV-Revolution k\u00f6nnte erhebliche Auswirkungen sowohl auf die Wirtschaft als auch auf die Umwelt haben.<\/p>\n<p>VW und Ford haben bereits in erheblichem Umfang in US-Fertigungsanlagen f\u00fcr Elektroautos investiert, so z. B. in das Werk von VW in der N\u00e4he von Chattanooga, Tennessee, und in das von Ford in Dearborn, Michigan. Die USA sind nach China und Europa der weltweit gr\u00f6\u00dfte Markt f\u00fcr Elektroautos; weitere Produktionsst\u00e4tten befinden sich in Kalifornien, Oregon, Washington State, Tennessee und Maryland. United Silicon Carbide Inc. wurde 1997 gegr\u00fcndet, um SiC-Leistungstransistoren und -Gleichrichter herzustellen, die einen h\u00f6heren Wirkungsgrad mit geringeren Schaltverlusten bei h\u00f6heren Betriebstemperaturen bieten und eine pr\u00e4zise Leistungsumwandlung f\u00fcr eine h\u00f6here Systemleistung erm\u00f6glichen. United Silicon Carbide Inc hat sich auf SiC-Leistungstransistoren und -Gleichrichter spezialisiert, die einen h\u00f6heren Wirkungsgrad und geringere Schaltverluste bei h\u00f6heren Betriebstemperaturen bieten, um eine pr\u00e4zise Leistungsumwandlung f\u00fcr eine h\u00f6here Systemleistung zu gew\u00e4hrleisten, verglichen mit China bzw. Europa.<\/p>\n<h2>Motorsteuerung<\/h2>\n<p>Die Forschung auf dem Gebiet der motorischen Kontrolle untersucht, wie das zentrale Nervensystem (ZNS) Bewegungen koordiniert, um mit seiner Umgebung in zielgerichtete, koordinierte Handlungen zu interagieren. Die Forschung auf dem Gebiet der motorischen Kontrolle zielt darauf ab, formale Beschreibungen mit genau definierten Variablen zu entwickeln, wie dieser Prozess im Hinblick auf die Strukturen des ZNS und die physiologischen Prozesse, die zu diesen Effekten beitragen, abl\u00e4uft.<\/p>\n<p>United Silicon Carbide stellt nicht nur hocheffiziente Siliziumkarbid-FETs, JFETs und Schottky-Dioden f\u00fcr zahlreiche Anwendungen her, sondern auch zahlreiche andere Leistungshalbleiterbauelemente, die diesen Anforderungen gerecht werden. Dazu geh\u00f6ren elektronische digitale \u00dcberlastrelais mit eingebauten Mikroprozessoren, die die Erw\u00e4rmung der Wicklungen durch Strom\u00fcberwachung modellieren. Sie k\u00f6nnen je nach den Erfordernissen der Anwendung manuell oder automatisch r\u00fccksetzbar sein; au\u00dferdem verf\u00fcgen sie \u00fcber Displays, die den Betriebszustand anzeigen und R\u00fcckmeldungen \u00fcber den Motorstrom, die Mess- oder Kommunikationsfunktionen liefern.<\/p>\n<p>Die Thermosicherung von USCi wurde entwickelt, um Stromkreise vor \u00dcberhitzungssch\u00e4den zu sch\u00fctzen, was sie zu einem unverzichtbaren Bestandteil von AC\/DC-Stromversorgungen, Motorantrieben und Antriebssystemen f\u00fcr Elektrofahrzeuge macht. Wenn die Temperatur des Ger\u00e4ts ein unsicheres Niveau erreicht, unterbricht es den Stromfluss und sch\u00fctzt so vor Kurzschl\u00fcssen und \u00dcberspannungen.<\/p>\n<p>Qorvo hat mit dem k\u00fcrzlich erfolgten Kauf des Portfolios von United Silicon Carbide mit \u00fcber 80 SiC-FETs, JFETs und 750V 5.9mO-Bauelementen seine Absicht deutlich gemacht, auf dem schnell wachsenden Markt f\u00fcr Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter mit breiter Bandl\u00fccke zu konkurrieren.9mO-Bauelemente von United Silicon Carbide - United Silicon Carbide verf\u00fcgt \u00fcber mehr als 80 FETs\/JFETs sowie ein 750V 5.9mO-Bauelement, was Qorvo in die Lage versetzen sollte, auf M\u00e4rkten wie Ladeger\u00e4ten f\u00fcr Elektrofahrzeuge\/Industriestromversorgung\/Schaltkreisschutz\/Erneuerbare Energien\/Rechenzentrumsstromversorgung\/Datenzentrumsstromversorgung\/Datenzentrumsstromversorgung\/etc. effektiv zu konkurrieren<\/p>\n<p>Der in Princeton ans\u00e4ssige Fabless-Halbleiterhersteller produziert auch GaN- und GaAs-RF-Bauteile und bietet Foundry-Dienstleistungen f\u00fcr beide Materialien an. Power Device Solutions wird demn\u00e4chst unter der Leitung von Chris Dries (ehemals UnitedSiC) an den Start gehen. Chris Dries wird diese Abteilung leiten, die sich auf SiC-Leistungsbauelemente wie FETs, JFETs und Schottky-Dioden f\u00fcr Ladeger\u00e4te f\u00fcr Elektrofahrzeuge, DC\/DC-Wandler und Traktionsantriebe, industrielle Schutzanwendungen, Stromkreisschutz sowie Solar-Photovoltaik-Wechselrichter konzentrieren wird.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>United Silicon Carbide Inc, is a manufacturer of semiconductors. The Company produces silicon carbide (SiC) power semiconductors such as FETs, JFETs and Schottky diodes for customers located throughout New Jersey. United Silicon Carbide also serves customers worldwide through their global operations. 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