When selecting rod components, it’s essential to select high quality options. Consider guides with CRB Elite, Fuji alconite or American Tackle Nanolite ceramic rings as these premium inserts offer hardiness, smoothness and lighter weight than stainless steel options. These advanced ring materials reduce friction, heat and damage to fishing line, leading to longer casting distance […]

Schottkyho diody z karbidu křemíku (SCSD) jsou polovodičové součástky se širokou pásmovou mezerou, které se hojně využívají ve výkonové elektronice. Ve srovnání s konvenčními křemíkovými zařízeními nabízejí vyšší výkon a vyšší energetickou účinnost a poskytují lepší celkovou účinnost přeměny energie než jejich křemíkové protějšky. 650V a 1200V SiC Schottkyho diody společnosti Galaxy Microelectronics jsou ideální pro aplikace s tvrdým spínáním, nabízejí nižší přímý proud

Silicon Carbide (SiC) is a hard, electrically conductive material. This property makes SiC ideal for use as semiconductor devices with both forward and reverse currents running high throughput. Utilising response surface methodology, an analytical model was constructed that correlates cutting forces and surface roughness for end milling aluminium silicon carbide partic-ulate metal matrix composites at

Karbidkřemíkové mosfety (MOSFET) jsou stále rozšířenější součástkou v konstrukcích výkonové elektroniky. Tyto výkonové polovodiče se širokou pásmovou mezerou mají oproti křemíkovým zařízením mnoho výhod, včetně menších spínacích ztrát a sníženého odvodu tepla. Díky těmto výjimečným vlastnostem jsou tyto měniče ideální pro vysokoteplotní aplikace, jako jsou nabíjecí stanice pro elektromobily, systémy obnovitelných zdrojů energie, jednotky UPS a další.

Společnost Wolfspeed buduje největší továrnu na karbid křemíku na světě, která bude vyrábět vysoce kvalitní SiC výkonové spínací a RF polovodičové součástky. Konstruktéři mohou využít SiC MOSFETy ke snížení velikosti, nákladů a hustoty výkonu systému při současném zvýšení účinnosti a spolehlivosti. Široká škála produktů Wolfspeed s holou matricí umožňuje návrhy na úrovni systému pro aplikace vyžadující nejvyšší hustotu výkonu. EV

Karbid křemíku (SiC) je inovativní neoxidová keramika s pozoruhodnými chemickými a fyzikálními vlastnostmi. Při různých teplotách vykazuje vlastnosti podobné kovům i izolantům - tato vlastnost dává SiC jeho charakteristickou flexibilitu. Oxid hlinitý může být pro další modifikaci dopován buď n-typem dusíkem a fosforem, nebo p-typem hliníkem, bórem a heliem.

Karbid křemíku, častěji označovaný jako karborundum, je výjimečně tvrdý keramický materiál s vynikající pevností a odolností proti opotřebení. Jeho chemická inertnost navíc umožňuje vysokou tepelnou vodivost s nízkým koeficientem tepelné roztažnosti a zároveň má vynikající odolnost proti oxidaci a degradaci při vysokých teplotách. Na rozdíl od konvenčních krystalických materiálů je a-SiC neuspořádaný.

Karbid křemíku je extrémně tvrdý a ostrý materiál, který se používá k výrobě různých typů brusných nástrojů. Brusné kotouče vyrobené z tohoto materiálu umožňují rychlé odstranění nečistot pro dosažení hladkých výsledků. Tyto kotouče mají buď papírový, nebo látkový podklad a k bezpečnému udržení zrn na místě používají pryskyřičné pojivo. K dostání v různých zrnitostech

Karbid křemíku (běžně označovaný jako karborundum) je průmyslový materiál s mnohostranným využitím. Karbid křemíku se skládá z hexagonální wurtzitové krystalové struktury a má různá využití v průmyslu, zatímco beta varianty se strukturou zinku blende mají menší komerční potenciál. Laboratorní extinkční spektra zrn vyrobených z a-SiC přesně odpovídají spektrům pozorovaným při astronomických pozorováních. Měření a

Karbid křemíku (SiC) je jedním z nejtvrdších materiálů, hned po diamantu. Díky své výjimečné pevnosti a odolnosti proti opotřebení je SiC ideálním kandidátem pro aplikace, jako jsou brusiva a žáruvzdorné materiály. SiC se nachází jak v přírodě v minerálech moissanitu, tak se vyrábí synteticky společnostmi, jako je Blasch ULTRON sintered SiC. SiC nabízí