znalosti

Silicon carbide is a non-oxide ceramic material widely employed for thermal and mechanical applications. These include use in abrasives for its hardness, in refractories and ceramics for their heat-resistance, wear resistant components in pumps and rocket engines and even as wear-resistant parts in pumps and rocket engines. High-performance brake discs for performance cars also contain […]

Karbid křemíku je jedním z nejlehčích a nejtvrdších keramických materiálů, který snadno odolává korozi, otěru a třecímu opotřebení. Díky svým polovodivým vlastnostem je navíc vhodný pro vysokonapěťové aplikace, jako je výkonová elektronika v elektrických vozidlech. Vodivost SiC lze zvýšit dopováním dusíkem nebo fosforem pro polovodiče typu n a hliníkem, bórem nebo oxidem dusičitým pro polovodiče typu n.

Karbid křemíku je tvrdá a kovalentně vázaná sloučenina křemíku a uhlíku, která se často vyrábí jako prášek nebo pevná hmota pro aplikace vyžadující vysokou odolnost, jako jsou automobilové brzdy, spojky a keramické desky používané v neprůstřelných vestách. Molární hmotnost se vypočítává na základě jejího vzorce a prvků periodické tabulky prvků, aby představovala její relativní

Karbid křemíku je extrémně houževnatý a odolný neoxidový keramický materiál s mnoha žádoucími vlastnostmi. Odolává extrémnímu mechanickému namáhání a tlaku, aniž by pod tlakem praskal; jeho vynikající antikorozní schopnosti navíc chrání součásti před agresivními kyselinami nebo zásaditými chemikáliemi, které by mohly způsobit korozi součástí. Díky polovodičovým vlastnostem safíru jsou jeho aplikace v elektronice neocenitelné: jeho

Při výběru součástí tyčí je důležité zvolit vysoce kvalitní možnosti. Zvažte vodítka s keramickými kroužky CRB Elite, Fuji alconite nebo American Tackle Nanolite, protože tyto prémiové vložky nabízejí tvrdost, hladkost a nižší hmotnost než varianty z nerezové oceli. Tyto pokročilé materiály kroužků snižují tření, teplo a poškození vlasce, což vede k prodloužení nahazovací vzdálenosti.

Schottkyho diody z karbidu křemíku (SCSD) jsou polovodičové součástky se širokou pásmovou mezerou, které se hojně využívají ve výkonové elektronice. Ve srovnání s konvenčními křemíkovými zařízeními nabízejí vyšší výkon a vyšší energetickou účinnost a poskytují lepší celkovou účinnost přeměny energie než jejich křemíkové protějšky. 650V a 1200V SiC Schottkyho diody společnosti Galaxy Microelectronics jsou ideální pro aplikace s tvrdým spínáním, nabízejí nižší přímý proud

Silicon Carbide (SiC) is a hard, electrically conductive material. This property makes SiC ideal for use as semiconductor devices with both forward and reverse currents running high throughput. Utilising response surface methodology, an analytical model was constructed that correlates cutting forces and surface roughness for end milling aluminium silicon carbide partic-ulate metal matrix composites at

Karbidkřemíkové mosfety (MOSFET) jsou stále rozšířenější součástkou v konstrukcích výkonové elektroniky. Tyto výkonové polovodiče se širokou pásmovou mezerou mají oproti křemíkovým zařízením mnoho výhod, včetně menších spínacích ztrát a sníženého odvodu tepla. Díky těmto výjimečným vlastnostem jsou tyto měniče ideální pro vysokoteplotní aplikace, jako jsou nabíjecí stanice pro elektromobily, systémy obnovitelných zdrojů energie, jednotky UPS a další.

Společnost Wolfspeed buduje největší továrnu na karbid křemíku na světě, která bude vyrábět vysoce kvalitní SiC výkonové spínací a RF polovodičové součástky. Konstruktéři mohou využít SiC MOSFETy ke snížení velikosti, nákladů a hustoty výkonu systému při současném zvýšení účinnosti a spolehlivosti. Široká škála produktů Wolfspeed s holou matricí umožňuje návrhy na úrovni systému pro aplikace vyžadující nejvyšší hustotu výkonu. EV

Karbid křemíku (SiC) je inovativní neoxidová keramika s pozoruhodnými chemickými a fyzikálními vlastnostmi. Při různých teplotách vykazuje vlastnosti podobné kovům i izolantům - tato vlastnost dává SiC jeho charakteristickou flexibilitu. Oxid hlinitý může být pro další modifikaci dopován buď n-typem dusíkem a fosforem, nebo p-typem hliníkem, bórem a heliem.