Име на автора: Администратор88

Silicon carbide semiconductors boast wider bandgaps that enable electrical energy transfer more efficiently than their silicon counterparts, making them suitable for applications like power electronics for electric vehicles and space exploration instruments. This makes silicon carbide particularly suited for use on rovers and probes. Coherent is establishing a new subsidiary to supply 150 mm and […]

Силициевият карбид е иновативен материал, който може да доведе до революция в промишлените процеси. Това новаторско вещество издържа добре на екстремни температури, абразивни среди и корозия, като същевременно предлага изключителна здравина и дълготрайност. Тръбите от силициев карбид отстъпват по твърдост само на диаманта и могат да пренасят химикали, без да се разрушават - две характеристики, които ги правят идеални

Силициевият карбид прави революция в силовата електроника. Той бавно замества традиционните силициеви транзистори, като същевременно предлага значителни подобрения на производителността. Поради физическите и електронните свойства на материала, инженерите може да се окажат неохотно настроени да възприемат тази технология. За съжаление, погрешни схващания могат да ги възпрепятстват от пълното ѝ възприемане. Силициевият карбид се среща в природата под формата на скъпоценни камъни моисанит и синтетично

Твърдите и твърди повърхностни свойства на силициевия карбид го правят отличен материал за огледала на астрономически телескопи, а също и ключова част от силовата електроника в наземни електрически превозни средства и космически сонди. Хан отбелязва, че DENSO и Mitsubishi Electric са двете водещи системни компании, които активно закупуват SiC чипове както на ниво субстрат, така и на ниво епокритие. Какво

Силициевият карбид е един от най-твърдите материали, използвани за изработване на абразивни инструменти. Той може да издържи на екстремни температури и налягане, без да се повреди или да влоши ефективността си. Тези дискове са идеални за шлайфане и полиране на твърди повърхности от естествен камък, като осигуряват бързо отстраняване на материала и същевременно създават гладка повърхност. Предлагат се в

Силициевият карбид (SiC) е неорганичен полупроводников материал с изключително широка лента на пропускане, който може да действа последователно като електрически проводник или изолатор, което го прави полезен в силовата електроника поради по-добрата му електропроводимост в сравнение с традиционните силициеви полупроводници. Лабораториите на EAG разполагат с богат опит в извършването на аналитични техники в насипно състояние и с пространствена разделителна способност върху SiC

Силициевият карбид (SiC) се превърна в основен технологичен материал. Той се използва в абразиви, техническа керамика и огнеупорни материали, както и в производството на полупроводници. Произвеждан чрез нагряване на кварцов пясък, смесен с въглерод под формата на петролен кокс, при високи температури в огромни открити пещи "Ачесън", SiC след това се произвежда както в зелени

Силициевият карбид е абразивен материал, който обикновено се използва в шлайф-колела, шлифовъчни ленти и материали за бластиране. Като неорганично химично съединение той се конкурира с диаманта и боровия карбид по отношение на твърдостта. Черният силициев карбид (карборунд) е един от най-често използваните абразиви, който се характеризира с твърди и ъглови зърна, които позволяват ефективна обработка на

Силициевият карбид (SiC) притежава необичайна кристална структура. Той съдържа четири атома Si и четири атома C в подредена координационна тетраедрична подредба със слоеве, подредени в политипи, образуващи първичния му координационен тетраедър. В електрическо отношение силициевият карбид има способността да издържа на напрежения, пет-десет пъти по-високи от тези на силиция. Това го прави отличен избор на материал за електрозахранване.

Технологичният напредък е събитие, което се случва веднъж на поколение за предприятията за полупроводници, и тези, които го приемат, могат да получат огромни печалби. Cree, сега Wolfspeed, се възползва от тенденцията за създаване на захранващи устройства от силициев карбид. Техните иновации в дизайна и производството на устройствата им позволяват да произвеждат по-малки чипове с еднаква мощност на всяка пластинка - по този начин разширяват