знания

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Amorphous silicon carbide (a-SiC) boasts impressive mechanical and strength properties that could revolutionize various industries. Its yield strength surpasses that of well-known materials like Kevlar, making it suitable for applications including microchip sensors and advanced solar cells. a-SiC stands out from its competition due to its superior tensile strength and versatility, being capable of fabrication

Coherent of Saxonburg, PA announced on April 8 that Japanese auto suppliers DENSO and Mitsubishi Electric have invested $1 billion into its silicon carbide business, holding a 12.5% non-controlling stake in a newly established subsidiary that will operate the business under Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology at Coherent.

Силициевият карбид (SiC) е невероятен материал със забележителна здравина и еластичност. Издържа на високи температури, тежки химикали и устойчивост на корозия - тези характеристики правят SiC несравним материал. При избора на тръба от силициев карбид за вашия проект трябва да се вземат предвид няколко елемента, като температура, налягане, среда, склонна към корозия, и размер/форма.

Силовите устройства от силициев карбид играят съществена роля в подобряването на енергийната ефективност на електрическите превозни средства благодарение на отличните си свойства на материала. Силициевият карбид в чистата си форма се държи като изолатор; когато обаче се легира с примеси (допанти), той може да се превърне в електронен полупроводник. Допантите за тази употреба включват азотно или фосфорно легиране за n-тип

Керамичните продукти от силициев карбид (SiC) са добре познати със своята устойчивост на корозия, абразия и високи температури - качества, които ги правят дълготрайни огнеупорни материали за дюзи на горелки, струйни и пламъчни тръби. SiC е идеален материал, който запазва здравината си дори при температури, достигащи 1600 градуса по Целзий, като същевременно предлага висока топлопроводимост, ниска топлинна

United Silicon Carbide Inc. е производител на полупроводници. Дружеството произвежда силови полупроводници от силициев карбид (SiC), като FET, JFET и диоди на Шотки, за клиенти, разположени в Ню Джърси. United Silicon Carbide също така обслужва клиенти по целия свят чрез своите глобални операции. Растежът на пазара на силициев карбид вероятно ще бъде стимулиран от нарастващото търсене на високоефективни захранващи

Силициевокарбидните диоди стават все по-популярни в редица проекти на електрически вериги поради по-високите си нива на производителност и по-малкия си форм-фактор в сравнение със силициевите устройства. SiC бариерните диоди на Шотки на WeEn се предлагат в различни опаковки, вариращи от оловни и болтови стилове до SMD устройства за повърхностен монтаж, и се подлагат на обширни тестове за издръжливост, за да се гарантира

Запалителят с гореща повърхност (HSI) служи като ефективен заместител на запалителните свещи на газовите пещи, като позволява преминаването на нисковолтово електричество през него и нагряването му. След като се нагрее до работната си температура, HSI произвежда изправен сигнал за постоянен ток, за да провери наличието на пламък и да поддържа главното положение на отворения газов клапан.