знания

Silicon carbide is an increasingly popular material choice for use in electronics applications due to its hardness, thermal conductivity and chemical stability properties. Furthermore, its insulation qualities make it suitable for circuit boards and other components. Silicon carbide’s wider bandgap makes it suitable for use in semiconductor electronics devices that operate at higher frequencies and […]

Преди появата на запалителните устройства с гореща повърхност газовите пещи са използвали искрово запалване. Малък пилотен пламък е горял през цялата година, като газът е течал само когато е било необходимо. Тези запалители са изработени от силициев карбид или силициев нитрид и имат керамични основи за изолиране на проводниковите връзки. Диапазонът на работното напрежение е от 80 до 240 V DC. 1. Дълъг живот

Лентовите разстояния измерват енергията, необходима на електроните и дупките да преминат от съответните валентни ленти в ленти на проводимост или ленти на проводимост. Полупроводниците с по-широки лентови междини, като галиев нитрид (GaN) или силициев карбид (SiC), притежават значително по-големи лентови междини от стандартния силиций, което прави тези материали подходящи за приложения с високо напрежение/честота. 1. Широка

Подобно на диаманта, графена и други екзотични материали, аморфният силициев карбид (a-SiC) е изключително здрав материал, но за разлика от кристалните си аналози не се отличава с дълъг ред в атомното си подреждане. Тази аномалия помага да се обясни как този материал успява да постигне такава забележителна якост на опън; професор Норте изчислява, че до 10 средно големи

Полупроводниците от силициев карбид се отличават с по-широки ленти на пропускане, които позволяват по-ефективен пренос на електрическа енергия в сравнение с техните силициеви аналози, което ги прави подходящи за приложения като силова електроника за електрически превозни средства и инструменти за космически изследвания. Това прави силициевия карбид особено подходящ за използване в марсоходи и сонди. Coherent създава ново дъщерно дружество, което да доставя 150 мм и

Силициевият карбид е иновативен материал, който може да доведе до революция в промишлените процеси. Това новаторско вещество издържа добре на екстремни температури, абразивни среди и корозия, като същевременно предлага изключителна здравина и дълготрайност. Тръбите от силициев карбид отстъпват по твърдост само на диаманта и могат да пренасят химикали, без да се разрушават - две характеристики, които ги правят идеални

Силициевият карбид прави революция в силовата електроника. Той бавно замества традиционните силициеви транзистори, като същевременно предлага значителни подобрения на производителността. Поради физическите и електронните свойства на материала, инженерите може да се окажат неохотно настроени да възприемат тази технология. За съжаление, погрешни схващания могат да ги възпрепятстват от пълното ѝ възприемане. Силициевият карбид се среща в природата под формата на скъпоценни камъни моисанит и синтетично

Твърдите и твърди повърхностни свойства на силициевия карбид го правят отличен материал за огледала на астрономически телескопи, а също и ключова част от силовата електроника в наземни електрически превозни средства и космически сонди. Хан отбелязва, че DENSO и Mitsubishi Electric са двете водещи системни компании, които активно закупуват SiC чипове както на ниво субстрат, така и на ниво епокритие. Какво

Силициевият карбид е един от най-твърдите материали, използвани за изработване на абразивни инструменти. Той може да издържи на екстремни температури и налягане, без да се повреди или да влоши ефективността си. Тези дискове са идеални за шлайфане и полиране на твърди повърхности от естествен камък, като осигуряват бързо отстраняване на материала и същевременно създават гладка повърхност. Предлагат се в

Силициевият карбид (SiC) е неорганичен полупроводников материал с изключително широка лента на пропускане, който може да действа последователно като електрически проводник или изолатор, което го прави полезен в силовата електроника поради по-добрата му електропроводимост в сравнение с традиционните силициеви полупроводници. Лабораториите на EAG разполагат с богат опит в извършването на аналитични техники в насипно състояние и с пространствена разделителна способност върху SiC